[发明专利]利用瑕疵存储器的系统、装置和方法及封装结构有效
| 申请号: | 200710079392.5 | 申请日: | 2007-02-16 |
| 公开(公告)号: | CN101246741A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
| 发明(设计)人: | 张华龙;殷立定;罗魏熙 | 申请(专利权)人: | 深圳市芯邦微电子有限公司 |
| 主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G06F11/10;G11C29/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
| 地址: | 518057广东省深圳市高新区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 利用 瑕疵 存储器 系统 装置 方法 封装 结构 | ||
技术领域
本发明涉及存储器技术领域,特别涉及一种利用瑕疵存储器的系统、装置和方法及其封装结构。
背景技术
当存储器中存在坏的存储块时,该存储器为瑕疵存储器,这些坏的存储块不能被使用,而好的存储块仍可以被正常使用。
专利号为200410086950.7的中国专利文件提出了一种利用瑕疵存储器的方法和装置。该专利文件种提出,存储器可用容量一半的低地址中存在至少一个坏块区时,则该坏块所在低地址的所有存储区域都不能使用,而只使用另一半的高地址存储块。存储器高地址中存在坏块的处理方式相同。当需要使用瑕疵存储器时,具体的讲是利用瑕疵存储器的好块时,需要对地址线进行控制,只读写好块,而避免对坏块的读写。设存储器分为16块,编号为从0到15,有四根高位地址线A3、A2、A1、A0,每根高位地址线有两种状态,分为0和1,四根高位地址线的组合共有2的4次方个,即16个,每个组合对应一个存储块编号。如果编号为0的存储块是坏块,则该存储块对应的低地址的存储区域,即0~7的存储块都不能使用。为了避开这个坏块所在的低地址存储区,将高位地址线A3设为固定的1,即将A3=0的地址屏蔽,由A3、A2、A1三个地址线组成的8个状态控制8个存储块的读写,即控制编号为8~15的存储块。这时,8~15的存储块中又产生一个坏的存储块,如第8块是坏块,为了避开这个坏块,将A2固定的设为1,即将A2=0的地址屏蔽,由A2、A1两个地址线组成的四个状态控制4个存储块的读写,即控制编号为12~15的存储块。当剩余的存储块中又产生一个坏块时,重复利用该方法屏蔽该坏块所在的一半存储区域。当存储器分为32块、64块等情况时,产生坏块时利用该存储器的方法与此相同。
可见,当存储器存在至少两个坏块,且坏块在高地址和低地址中分别都存在时,现有的方法对存储器的利用率很低,不能对存在的好块进行有效的利用。
另外,现有技术在实施时,还必须先检测存储器的坏块区域,根据检测结果对存储器进行分块,设置电气开关,通过手工操作该电气开关的方式进行控制。但是,本领域技术人员知道,电气开关是一种物理开关,其反应速度和灵敏度都很有限,这样就影响了读写存储器的效果,且手工操作较为繁琐。
一种利用瑕疵存储器的系统中,由于受到容量的限制,可提供的电气开关的数量是有限的,那么,当瑕疵存储器在坏块情况较为复杂的情况下,有限的物理开关不能满足需求。例如,总容量为8块的存储器,如果有存在两个坏块时,根据坏块所处位置的不同,应用排列组合关系,可以由公示C(8,2)=8!/[(8-2)!/2!]=28得到28种不同的损坏类型,如果此时提供的电气开关时5个,可以表示2的5次方共32种,32>28,因此该情况下5个电气开关可以满足需要。但是如果8个存储块种有3个坏块时,由C(8,3)=8!/[(8-3)!/3!]=336得到336种损坏类型,此时需要至少提供9个电气开关,这9个电气开关可提供2的9次方共512个状态,才可以满足336种损坏情况。
但是,在系统种能提供的电气开关是有限的,而且如果存储器分为16块、32块或更多的情况时,可以计算出需要的电气开关数量将很大,这种情况下提供大量的电气开关是难以实现的。
发明内容
本发明的目的是提供一种利用瑕疵存储器的系统、装置和方法及封装结构,以克服现有技术中存储器存在至少两个坏块,且坏块在高地址和低地址中分别都存在时,对存储器的利用率低,不能对存在的好块进行有效利用的缺陷。
本发明的次要目的在于提供一种利用瑕疵存储器的系统、装置和方法及封装结构,其读写存储器效果好,操作简单方便,容易实现。
为解决上述技术问题,本发明提供一种利用瑕疵存储器的系统、装置和方法及封装结构是这样实现的:
一种利用瑕疵存储器的系统,包括存储控制器110,译码模块130和瑕疵存储器120,其中,
存储控制器110与瑕疵存储器120间通过时钟线、数据总线、低位地址总线、第一控制线和第二控制线相连,与译码模块130通过高位地址输入总线和第二控制线相连,用于通过译码模块130对瑕疵存储器120进行读写;
译码模块130与存储控制器110通过高位地址输入总线和第二控制线相连,与瑕疵存储器120通过高位地址输出总线相连,用于将存储控制器110对瑕疵存储器120进行读写的地址译码为瑕疵存储器120中好块的地址。
译码模块130包括译码控制模块131,输出驱动模块132和可编程模块133,其中,
译码控制模块131的输入端与存储控制器110通过高位地址输入总线和第二控制线相连,用于对存储控制器110输入地址的译码;
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