[发明专利]场发射背光源有效

专利信息
申请号: 200710074431.2 申请日: 2007-05-11
公开(公告)号: CN101303960A 公开(公告)日: 2008-11-12
发明(设计)人: 刘亮;唐洁;郑直;潜力;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: H01J63/06 分类号: H01J63/06;H01J63/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发射 背光源
【权利要求书】:

1.一种场发射背光源,其包括阳极基板、阴极基板及设置在阳极基板上的荧光 层,其特征在于,所述阳极基板与所述荧光层之间设置有光反射层,所述阴极 基板是透明的,所述阴极包括沿第一方向排列的相互间隔设置的多根金属丝, 所述金属丝上设置有碳纳米管,每相邻两根金属丝之间的距离相同,该距离数 值为10微米到10毫米范围内的任一数值。

2.如权利要求1所述的场发射背光源,其特征在于,所述金属丝的直径为10微米 到1毫米。

3.如权利要求1所述的场发射背光源,其特征在于,所述金属丝相互平行设置。

4.如权利要求1所述的场发射背光源,其特征在于,所述阴极进一步包括沿第二 方向排列的相互间隔设置的多根金属丝,该第二方向排列的多根金属丝上设置 有碳纳米管,该第二方向排列的多根金属丝与上述第一方向排列的多根金属丝 交叉排列成网格状分布在所述阴极基板上。

5.如权利要求1所述的场发射背光源,其特征在于,所述阴极基板的至少一表面 上设置有扩散片,所述扩散片上形成有扩散结构。

6.如权利要求5所述的场发射背光源,其特征在于,所述扩散片与所述阴极基板 为一体形成的。

7.如权利要求5所述的场发射背光源,其特征在于,所述扩散结构为V形槽、锥 形、半球形、圆柱形或锥台形的突出或凹陷。

8.如权利要求1所述的场发射背光源,其特征在于,所述金属丝上具有低熔点玻 璃,所述低熔点玻璃的熔点为400℃~500℃,所述低熔点玻璃将所述碳纳米管粘 结在所述金属丝上。

9.如权利要求1所述的场发射背光源,其特征在于,所述阴极基板上设置有透明 导电层。

10.如权利要求1所述的场发射背光源,其特征在于进一步包括两个汇流电极。

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