[发明专利]场发射背光源有效
| 申请号: | 200710074431.2 | 申请日: | 2007-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN101303960A | 公开(公告)日: | 2008-11-12 |
| 发明(设计)人: | 刘亮;唐洁;郑直;潜力;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | H01J63/06 | 分类号: | H01J63/06;H01J63/02 |
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| 地址: | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发射 背光源 | ||
1.一种场发射背光源,其包括阳极基板、阴极基板及设置在阳极基板上的荧光 层,其特征在于,所述阳极基板与所述荧光层之间设置有光反射层,所述阴极 基板是透明的,所述阴极包括沿第一方向排列的相互间隔设置的多根金属丝, 所述金属丝上设置有碳纳米管,每相邻两根金属丝之间的距离相同,该距离数 值为10微米到10毫米范围内的任一数值。
2.如权利要求1所述的场发射背光源,其特征在于,所述金属丝的直径为10微米 到1毫米。
3.如权利要求1所述的场发射背光源,其特征在于,所述金属丝相互平行设置。
4.如权利要求1所述的场发射背光源,其特征在于,所述阴极进一步包括沿第二 方向排列的相互间隔设置的多根金属丝,该第二方向排列的多根金属丝上设置 有碳纳米管,该第二方向排列的多根金属丝与上述第一方向排列的多根金属丝 交叉排列成网格状分布在所述阴极基板上。
5.如权利要求1所述的场发射背光源,其特征在于,所述阴极基板的至少一表面 上设置有扩散片,所述扩散片上形成有扩散结构。
6.如权利要求5所述的场发射背光源,其特征在于,所述扩散片与所述阴极基板 为一体形成的。
7.如权利要求5所述的场发射背光源,其特征在于,所述扩散结构为V形槽、锥 形、半球形、圆柱形或锥台形的突出或凹陷。
8.如权利要求1所述的场发射背光源,其特征在于,所述金属丝上具有低熔点玻 璃,所述低熔点玻璃的熔点为400℃~500℃,所述低熔点玻璃将所述碳纳米管粘 结在所述金属丝上。
9.如权利要求1所述的场发射背光源,其特征在于,所述阴极基板上设置有透明 导电层。
10.如权利要求1所述的场发射背光源,其特征在于进一步包括两个汇流电极。
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