[发明专利]温郁金脱毒及快速繁殖方法

权利要求书

1.一种温郁金的脱毒及快速繁殖方法，其特征在于包括如下步骤：

1)将温郁金根状茎放在温度36～38℃下4～5周，取出根状茎，用400～500倍百菌清浸泡30～40分钟后，置于底部打若干小洞的塑料周转箱中，以细沙铺底和覆盖，浇透水，将周转箱置于23～27℃温室下催芽培养20～25天，定期喷水，待培育的芽长至1～2公分时，选用顶芽及腋芽流水冲洗30～40分钟后，置于75％酒精中处理20～30秒，然后用0.1％HgCl₂灭菌处理6～10分钟后用无菌水冲洗3～5次后用于茎尖的剥离与接种；

2)将灭菌后1～2公分顶芽或腋芽，在40倍体视显微镜下剥离茎尖生长点，带一个叶原基，切为0.1～0.2毫米见方的小块，接种于诱导培养基中进行诱导培养，诱导培养基为：MS+BA2.0mg/l+NAA0.5mg/l、MS+BA2.0mg/l+NAA1.0mg/l、MS+BA2.0mg/l+NAA0.5mg/L+AdS30mg/l或MS+KT2.0mg/l+NAA 1.0mg/L；

3)采用双抗体夹心酶联免疫吸附法检测烟草花叶病毒和黄瓜花叶病毒，反应结果用连续波长生物测读仪于405nm处读取OD值，烟草花叶病毒的阳性对照采用确定含烟草花叶病毒的烟草新鲜叶，阴性对照采用健康烟草；黄瓜花叶病毒的阳性对照采用确定含黄瓜花叶病毒的黄瓜新鲜叶组织，阴性对照采用健康黄瓜叶片；样品OD₄₀₅值/阴性对照OD₄₀₅值明显≥2，判为阳性；样品OD₄₀₅值/阴性对照OD₄₀₅值明显＜2，判为阴性，样品的OD₄₀₅值用SPSS数据处理系统进行分析；

4)将生长于诱导培养基上经过病毒检测确定为无病毒的植株转接于增殖培养基上，增殖培养基为：MS+BA1mg/l、MS+BA2mg/l、MS+BA1mg/l+NAA0.2mg/l。

5)在增殖培养基上植株一步成苗，移栽到珍珠岩∶灭菌菜园土∶草炭土为1∶1～2∶0.5～1的混合基质上。

2.根据权利要求1所述的一种温郁金的脱毒及快速繁殖方法，其特征在于所述的诱导培养基中的pH值为5.8～6.0，培养温度25～27℃，每天光照时间为16h，光照强度为35～40μmol.m^-2.s^-1。

3.根据权利要求1所述的一种温郁金的脱毒及快速繁殖方法，其特征在于将鉴定为无病毒的生长在诱导培养基上的植株转接于增殖培养基上进行增殖培养：培养15～20天，可见植株基部出现4～10个新芽，将长的新芽在无菌条件下取出，直接放在增殖培养基上或将芽纵切为4份，每一份接种在增殖培养基上，在15～20天内，各培养容器内的芽可再生出4～10个芽。

4.根据权利要求1所述的一种温郁金的脱毒及快速繁殖方法，其特征在于所述的在增殖培养基上植株一步成苗，移栽到珍珠岩∶灭菌菜园土∶草炭土为1∶1～2∶0.5～1的混合基质上：将生根植株的培养瓶取出，于自然环境下放置5～7天，然后打开瓶盖，放置1～2天后，将植株基部的琼脂洗净，将苗移栽到珍珠岩∶灭菌菜园土∶草炭土为1∶2∶1的混合基质培养20～35天，开始10～14天，保持温度为23～25℃，相对湿度为70～80％。