[发明专利]大直径准单畴钇钡铜氧超导块材制备方法

权利要求书

1.一种大直径熔融织构准单畴钇钡铜氧块材制备方法，它包括前驱烧结胚体的制备、高温烧结中的液相流失控制、定向凝固生长烧结，其特征在于所述的前驱烧结胚体的制备采用Y123∶Y211＝1∶0.3摩尔量配制：采用纯度为99.99％氧化铈(CeO2)化学粉末试剂作为分散剂，添加到上述Y123/Y211烧结胚体中，以起到抑制Y211相粒子高温下的自团聚现象。加入的CeO2试剂量为烧结胚体总重量的0.5％。

2.根据权利要求1所述的一种大直径准单畴钇钡铜氧块材制备方法，其特征在于所述的高温烧结中的液相流失控制是通过在烧结胚体与炉膛底板之间插入一层中间介质层加以实现，该中间介质层由化学粉末试剂氧化镱(Yb2O3)和化学粉末试剂氧化钇(Y2O3)按照1∶0.6的比例均匀混合后压制而成。

3.根据权利要求1所述的一种大直径准单畴钇钡铜氧块材制备方法，其特征在于所述的定向凝固烧结包括升温程序、结晶生长程序、降温程序。

4.根据权利要求1所述的大直径准单畴钇钡铜氧材料制备方法，其特征在于所述的升温程序为：从室温至930℃±10℃的匀速升温段，升温速率为200℃±10℃/小时；930℃±10℃处的恒温段，恒温时间为5±0.2小时；930℃±10℃至1055℃±10℃的匀速升温段，升温速率为100℃±10℃小时；1055℃±10℃处的恒温段，恒温时间为2±0.1小时。

5.根据权利要求1所述的大直径准单畴钇钡铜氧材料制备方法，其特征在于所述的结晶生长程序为：1055℃±5℃至1015℃±5℃降温程序，降温速率为60℃±5℃/小时；1015℃±5℃至980℃±5℃缓慢降温程序，降温速率为0.3℃±0.01℃/小时；980℃±1℃至970℃±1℃过渡降温程序，降温速率为0.5℃±0.01℃/小时)。

6.根据权利要求1所述的大直径准单畴钇钡铜氧材料制备方法，其特征在于所述的降温程序为：970℃±10℃至300℃±10℃自然降温程序；所述的自然降温程序为切断高温烧结炉的加热电源功率，任其烧结胚体在炉膛中自然冷却。