[发明专利]一种喇叭状接触的制作方法

权利要求书

1.一种喇叭状接触的制作方法，包括如下步骤：

在已经形成了有源结构、隔离以及金属硅化物的硅衬底上形成第一绝缘层；

再形成第二绝缘层；

形成光刻胶层，并光刻、显影形成光刻胶的接触孔图案；

刻蚀第二绝缘层和第一绝缘层，形成接触孔；

回拉光刻胶，使光刻胶开口增大；

刻蚀第一绝缘层和第二绝缘层形成喇叭状接触孔，所述刻蚀采用第二绝缘层/第一绝缘层选择性比高的气体进行刻蚀；

去除光刻胶；

填充接触金属，并平坦化；

形成金属间电介质层，并刻蚀出金属线图案；

填充第一金属，并平坦化；

继续其他制程。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第一绝缘层为硅氧化物的层间电介质层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第二绝缘层为氮氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的光刻胶回拉是采用Ar/O₂进行干法刻蚀，优选其比例为10∶1。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的光刻胶回拉幅度是0.01～0.05μm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的刻蚀第二绝缘层和第一绝缘层的选择性比为1～5。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述的刻蚀第二绝缘层和第一绝缘层的选择性比为3～5。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的刻蚀第二绝缘层和第一绝缘层的刻蚀气体为CHxFy，其中，0≤x≤4，0＜y≤4，x+y＝4。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述的刻蚀气体为CHF₃或者CF₄。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的接触孔中填充的金属为钨，

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第一金属为铜。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的喇叭状接触孔的开口角度为90～150度，即其与晶片垂直方向的角度为45～75度。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述的喇叭状接触孔开口角度为150度，即与晶片垂直方向的角度为75度。

14.具有根据权利要求1～13中任意一项所述的方法制作的喇叭状接触的半导体互连线结构。