[发明专利]存储器的擦除方法

权利要求书

1. 一种存储器的擦除方法，所述的存储器包括多个存储单元，所述的方法包括下述步骤：

(1)施加擦除脉冲，对存储器的多个存储单元同时执行擦除操作；

(2)对一个未执行过验证操作的存储单元执行验证操作，判断执行验证操作的存储单元是否“未擦除”或“擦除不足”，若存储单元是“未擦除”或“擦除不足”，则执行步骤(3)，若存储单元不是“未擦除”或“擦除不足”，则执行步骤(4)；

(3)施加擦除脉冲，对所述的多个存储单元再同时执行擦除操作；

(4)判断所述的多个存储单元是否都已执行过验证操作，若所述的多个存储单元不是都已执行过验证操作，则返回至步骤(2)，若所述的多个存储单元都已执行过验证操作，则判定擦除过程完成。

2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的存储器是快闪存储器。

3. 根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的多个存储单元排列成一个矩阵阵列，所述的对存储器的多个存储单元同时执行擦除操作是指对所述的矩阵阵列执行擦除操作。

4. 根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的多个存储单元排列成多个区块，所述的对存储器的多个存储单元同时执行擦除操作是指对所述的至少一个区块执行擦除操作。

5. 根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，擦除过程完成之后还包括：

对所述的多个存储单元执行检查和修复操作，修复“未擦除”、“擦除不足”或“过擦除”的存储单元。

6. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述的修复“未擦除”、“擦除不足”或“过擦除”的存储单元是利用错误校正码修复“未擦除”、“擦除不足”或“过擦除”的存储单元。

7. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述的修复“未擦除”、“擦除不足”或“过擦除”的存储单元是利用冗余阵列修复“未擦除”或“擦除不足”的存储单元。

8. 一种存储器的擦除方法，所述的存储器包括多个存储单元，所述的方法包括下述步骤：

(1)施加擦除脉冲，对存储器的多个存储单元同时执行擦除操作；

(2)对一个未执行过验证操作的存储单元执行验证操作，判断执行验证操作的存储单元是否“未擦除”或“擦除不足”，若存储单元是“未擦除”或“擦除不足”，则执行步骤(3)，若存储单元不是“未擦除”或“擦除不足”，则执行步骤(5)；

(3)判断擦除脉冲个数是否达到预定的最大擦除次数，若擦除脉冲个数未达到预定的最大擦除次数，则执行步骤(4)，若擦除脉冲个数达到预定的最大擦除次数，则判定擦除过程失败；

(4)施加擦除脉冲，对所述的多个存储单元再同时执行擦除操作；

(5)判断所述的多个存储单元是否都已执行过验证操作，若所述的多个存储单元不是都已执行过验证操作，则返回至步骤(2)，若所述的多个存储单元都已执行过验证操作，则判定擦除过程完成。

9. 根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述的存储器是快闪存储器。

10. 根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述的多个存储单元排列成一个矩阵阵列，所述的对存储器的多个存储单元同时执行擦除操作是指对所述的矩阵阵列执行擦除操作。

11. 根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述的多个存储单元排列成多个区块，所述的对存储器的多个存储单元同时执行擦除操作是指对所述的至少一个区块执行擦除操作。

12. 根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，擦除过程完成之后还包括：

对所述的多个存储单元执行检查和修复操作，修复“未擦除”、“擦除不足”或“过擦除”的存储单元。

13. 根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述的修复“未擦除”、“擦除不足”或“过擦除”的存储单元是利用错误校正码修复“未擦除”、“擦除不足”或“过擦除”的存储单元。

14. 根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述的修复“未擦除”、“擦除不足”或“过擦除”的存储单元是利用冗余阵列修复“未擦除”、“擦除不足”或“过擦除”的存储单元。