[发明专利]废水处理系统和方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装及测试技术领域，特别涉及一种半导体封装测试工艺中碾磨划片的废水处理系统和方法。

背景技术

在半导体制造技术中，通过一系列的光刻、刻蚀、沉积、离子注入、研磨、清洗等工艺形成具有各种功能的半导体芯片，然后将所述半导体芯片进行封装和电性测试，并最终形成终端产品。出于成本和批量生产的考虑，半导体芯片通常被制造在硅基的半导体晶片上。目前，半导体晶片的直径一般为200或300mm。在进行封装之前，首先需要通过碾磨将所述半导体晶片的厚度减薄；接着通过划片将每一半导体芯片从所述半导体晶片上切割下来。在所述碾磨和划片的工艺中会产生大量的工业废水，所述废水中含有悬浮的硅和微量的碾磨剂。现有的废水处理方法一般通过化学处理的方法，将所述工业废水和电镀废水一起进行PH值调节、絮凝、沉降等过程除去悬浮的硅，废水达标后排放，所述悬浮的硅经沉降后变成污泥。专利公开号为CN 1623911A的中国专利申请文件公开了一种废水的处理系统和方法，在其公开的专利文献中，介绍了一种对半导体晶片背面研磨工艺产生的废水的化学处理方法和系统。

图1为所述专利申请文件公开的系统的示意图。如图1所示，将对半导体晶片背面研磨的废水10输送至反应槽14，同时向所述反应槽14中同时输送其他工艺的废水，例如，化学机械研磨后的废水，晶片背面冲洗的废水等，即，所述反应槽14中可以为半导体晶片背面研磨废水、化学机械研磨废水等的混合溶液。然后向所述反应槽14中通入用于凝结用的高分子助凝剂13(例如FSC-835)，所述助凝剂与所述废水中的粒子结合并形成沉淀被析出；接着，通过输出管线15将经过所述反应槽14处理的废水导入沉降槽17，向所述沉降槽17中通入凝结用高分子聚合物16(例如EA-630)，以结合剩余未与所述助凝剂结合的粒子。然后，通过一个或多个抽污泥泵18将所述沉降槽17中的污泥抽出，并将所述沉降槽17中的经过处理的废水导入放流槽19中，在所述放流槽19中对所述废水进行PH值调整，然后通过管线20、输送泵21和放流管线22将经过处理的废水输送至回收槽。

上述废水处理的方法通过多步化学方法对半导体制造和封装的废水进行处理，需要投入大量的化学品，系统和工艺复杂，成本较高。

发明内容

本发明提供一种废水处理的系统和方法，本发明系统和方法工艺简单，费用较低。

本发明提供的一种半导体封装工艺中碾磨划片的废水处理系统，包括：收集半导体封装工艺中碾磨和/或划片的废水的收集槽；将所述废水中的悬浮物通过物理过滤分离出来的物理过滤装置，该物理过滤装置与所述收集槽流体性连接；接收所述物理过滤装置处理后废水的接收装置，该接收装置与所述物理过滤装置流体性连接。

可选的，所述物理过滤装置为过滤器、过滤机、压滤机中的一种。

可选的，所述物理过滤装置为箱式压滤机、带式压滤机、板框压滤机中的一种或组合。

可选的，所述压滤机的过滤介质为滤布和/或滤膜。

可选的，所述压滤机的过滤介质为滤布和滤膜，所述滤布的过滤孔径为0.5至10um，所述滤膜的过滤孔径为0.1至1um。

可选的，所述物理过滤装置为过滤器，所述过滤器的过滤介质为滤芯。

可选的，所述滤芯的过滤孔径为0.1至10um。

可选的，所述的半导体封装工艺中碾磨划片的废水处理系统，还包括有：收集所述物理过滤装置分离出的悬浮物的悬浮物收集装置，所述悬浮物收集装置与所述物理过滤装置相对放置；对所述悬浮物进行烘干的烘干装置，所述烘干装置与所述悬浮物收集装置相对放置。

可选的，所述收集槽和物理过滤装置之间通过加压传送设备流体性连接。

相应的，本发明还提供一种半导体封装工艺中碾磨划片的废水处理方法，包括：收集半导体封装工艺中碾磨和/或划片的废水；通过物理过滤将所述废水中的悬浮物分离出来；收集经过所述物理过滤后的废水。

可选的，所述悬浮物为硅。

可选的，所述物理过滤采用的过滤介质为滤布、滤膜、滤袋或滤芯中的一种或其组合。

可选的，所述物理过滤为常压过滤或加压过滤中的一种。

可选的，所述的半导体封装工艺中碾磨划片的废水处理方法，进一步包括：将所述经过物理过滤后的废水再次过滤后输送至工业用水系统。

可选的，所述的半导体封装工艺中碾磨划片的废水处理方法，进一步包括：收集所述分离出来的悬浮物；烘干所述悬浮物。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：