[发明专利]互穿聚合物网络结构体及研磨垫以及它们的制造方法

权利要求书

1.一种互穿聚合物网络结构体的制造方法，所述互穿聚合物网 络结构体的制造方法包含以下工序：使高分子成型体中含浸含有烯键 式不饱和化合物及自由基聚合引发剂的自由基聚合性组合物的工序、 及在含浸所述自由基聚合性组合物的高分子成型体的膨润状态下使 所述烯键式不饱和化合物聚合的工序，其中，在使高分子成型体中含 浸自由基聚合性组合物的工序之前，将链转移剂及/或自由基聚合抑 制剂添加到所述自由基聚合性组合物及/或所述高分子成型体中。

2.如权利要求1所述的互穿聚合物网络结构体的制造方法，其中， 向所述高分子成型体中添加链转移剂及/或自由基聚合抑制剂。

3.如权利要求1所述的互穿聚合物网络结构体的制造方法，其中， 链转移剂及/或自由基聚合抑制剂的分子量为350以下。

4.如权利要求1所述的互穿聚合物网络结构体的制造方法，其中， 所述链转移剂是选自具有碳原子数3～12的烷基的硫醇及芳香族烃类 链转移剂中的1种以上的化合物。

5.如权利要求2所述的互穿聚合物网络结构体的制造方法，其中， 向所述高分子成型体中，相对于100重量％所述高分子成型体，添加 0.01～20重量％所述链转移剂。

6.如权利要求1所述的互穿网络结构体的制造方法，其中，所述 自由基聚合抑制剂为具有至少1个以上芳香环及羟基的1种以上的化 合物。

7.如权利要求1所述的互穿网络结构体的制造方法，其中，烯键 式不饱和化合物是选自甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯 酸异丙酯及甲基丙烯酸叔丁酯中的化合物。

8.如权利要求1所述的互穿网络结构体的制造方法，其中，在氧 气或含氧气体存在下使烯键式不饱和化合物聚合。

9.一种研磨垫的制造方法，包含使用通过权利要求1～8中任一 项所述的方法得到的互穿聚合物网络结构体制作研磨垫的工序。

10.一种研磨垫，所述研磨垫由含有高分子成型体及烯键式不饱 和化合物的聚合物的互穿聚合物网络结构体构成，厚度1mm以上，直 径300mm以上，其中，高分子成型体相对于高分子成型体和烯键式不 饱和化合物聚合物的总重量的平均重量比为X％时，研磨垫的任意位 置的高分子成型体的重量比在X±3％的范围内。

11.如权利要求10所述的研磨垫，拉伸断裂强度为13MPa以上。

12.如权利要求10所述的研磨垫，拉伸断裂伸长率为150％以上。

13.如权利要求10所述的研磨垫，具有平均气泡直径为10～230μm 的独立气泡。

14.如权利要求10所述的研磨垫，表观密度为0.2～1.1g/cm³。

15.如权利要求10所述的研磨垫，其中，高分子成型体和烯键式 不饱和化合物聚合物的重量比为100/5～100/300。

16.一种半导体装置的制造方法，包含使用权利要求10所述的研 磨垫研磨半导体衬底表面的步骤。