[发明专利]三维集成电容结构

权利要求书

1.一种供一集成电路(IC)之用的集成电容结构，其包括：

至少两种晶胞在所述IC的相应层上的阵列，每一晶胞包括：

一中心导体；以及

一包围所述中心导体的导电环，其中所述中心导体以及所述导

电环均在所述IC的同一层上构成；

所述每一阵列包括多个以一预定间距铺在一给定的所述层上的晶胞；

所述阵列垂直配置，以致于相邻的垂直阵列在x和y二个维度上为所述晶胞的间距的1/2偏移；以及

配置与所述阵列互相连接的通路，以致于使每一中心导体以紧接所述中心导体的上、下与阵列的一导电环连接，并且以致于使每一导电环以紧接所述导电环的上、下与阵列的一中心导体连接，

其中所述的每一中心导体均呈一正方形板以及所述的每一导电环均呈一正方形环，其厚度大致等于其中心上中心导体的厚度，

其中所述的晶胞这样靠近，以致于在所述晶胞之间做到三维电容耦合，以致于所述结构的总电容包括一部分由所述中心导体与包围它们的导电环之间的横向耦合所组成的电容，一部分由所述晶胞的垂直重叠所组成的电容，以及一部分在相邻层之间的边缘耦合所组成的电容。

2.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于：所述的阵列在所述IC的相应的导电层上构成。

3.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于：所述的IC以及电容结构均采用一标准CMOS制作方法来制成。

4.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于：所述的IC以及电容结构均采用一具有一相关的最小金属区域的制作方法来制成，所述的每一中心导体的表面面积与所述的最小金属区域的表面面积大致相等。

5.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于：所述的电容结构提供一线性集成电容。

6.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于：所述的电容结构提供一补偿电容。

7.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于：所述的电容结构由三个在所述IC的相应层上的阵列构成。

8.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于：所述的电容结构进一步包括所述阵列的相邻对之间设置的介电层。