[发明专利]连续式粉粒体高温气体处理装置和处理方法有效
| 申请号: | 200680052754.5 | 申请日: | 2006-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN101370576A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
| 发明(设计)人: | 大桥裕昭;神子岛克;紫垣由城 | 申请(专利权)人: | 株式会社吴羽 |
| 主分类号: | B01J8/24 | 分类号: | B01J8/24;B01J6/00;C01B31/02;F26B3/08;F26B17/10;F27B15/04;F27B15/10;F27B15/16;H01M4/04 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 连续 式粉粒体 高温 气体 处理 装置 方法 | ||
1.一种连续式粉粒体高温气体处理装置,具备:
从装置上部供给原料粉粒体的原料供给口、
从装置下部排出处理后的制品的制品排出口、
在处理气体气氛中高温处理粉粒体的处理室、
在该处理室上部设置于该处理室外部的外部加热装置、
在该处理室下部与该处理室进行流体连通的、并具有设置于该处理室外部的外部冷却装置的冷却室、
设置于该外部加热装置的下部、该外部冷却装置的上部的处理气体供给口,
在运行时,通过在从该原料供给口供给原料粉粒体,使之在装置内下降的同时,从该处理气体供给口以小于粉粒体的最小流化速度的供给速度供给处理气体,使之在装置内上升,从而使粉粒体和处理气体对流接触,在该处理室的下部形成移动层,在该处理室上部,利用来自该外部加热装置的热量维持粉粒体的上升流,形成和维持流动层,在移动层的上部连续地形成流动层,在该处理室下部通过该外部冷却装置来冷却粉粒体。
2.根据权利要求1所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,还具备气固分离室,所述气固分离室以流体连通状态设置于所述处理室的上部。
3.根据权利要求1或2所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,在所述处理室中还设有位置检测装置,所述位置检测装置检测装置运行时形成的流动层和/或移动层的高度位置。
4.根据权利要求3所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,所述位置检测装置是静压检测器。
5.根据权利要求1所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,在所述处理室上部还设有至少一个立体结构物。
6.根据权利要求5所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,具备以流体连通状态设置于所述处理室的上部的气固分离室,
所述立体结构物是设置于所述处理室与该气固分离室之间的隔断从处理室向气固分离室的热转移的隔热板。
7.根据权利要求6所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,所述隔热板具有所述处理室截面积的20~90%的截面积。
8.根据权利要求5所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,所述立体结构物包含多个圆锥形结构物。
9.根据权利要求5所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,所述立体结构物交错地设置于处理室壁面侧和中央侧。
10.根据权利要求2所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,所述气固分离室的截面积构成得比前述处理室的截面积更大。
11.根据权利要求1所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,在所述处理室中还设有搅拌装置。
12.根据权利要求1所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,是二次电池电极用碳质材料制造装置。
13.根据权利要求2所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,在所述处理室上部还设有至少一个立体结构物。
14.根据权利要求13所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,所述立体结构物是设置于所述处理室与该气固分离室之间的隔断从处理室向气固分离室的热转移的隔热板。
15.根据权利要求14所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,所述隔热板具有所述处理室截面积的20~90%的截面积。
16.根据权利要求13所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,所述立体结构物包含多个圆锥形结构物。
17.根据权利要求13所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,所述立体结构物交错地设置于处理室壁面侧和中央侧。
18.根据权利要求14所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,所述气固分离室的截面积构成得比前述处理室的截面积更大。
19.根据权利要求13所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,在所述 处理室中还设有搅拌装置。
20.根据权利要求13所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,是二次电池电极用碳质材料制造装置。
21.一种粉粒体处理方法,使用权利要求1或13所述的连续式粉粒体高温气体处理装置。
22.一种二次电池电极用碳质材料的制造方法,使用权利要求12或13所述的连续式粉粒体高温气体处理装置,作为原料粉粒体供给预烧成炭,作为处理气体供给含有氮气和/或氯气的气体,将处理室加热到500℃~3000℃,在处理室内连续地形成移动层和流动层,将粉粒体和处理气体的滞留时间设为0.1~10小时而进行处理。
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