[发明专利]用于半导体器件的改良湿度可靠性和增强可焊性的引线框架无效

专利信息
申请号: 200680044601.6 申请日: 2006-11-30
公开(公告)号: CN101361181A 公开(公告)日: 2009-02-04
发明(设计)人: J·P·特利坎普 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号: H01L23/02 分类号: H01L23/02
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 赵蓉民
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 半导体器件 改良 湿度 可靠性 增强 可焊性 引线 框架
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,其包含:

引线框架,其具有由基体金属薄片构成的结构,所述结构包括芯 片安放衬垫和多个引线段,所述薄片具有第一和第二表面;

连续金属层,其接触第一和第二薄片表面;

第一贵金属的第一层,其接触所述第一薄片表面上的金属层,所述 第一层具有一厚度;

所述第一贵金属的第二层,其接触所述第二薄片表面上的金属层, 所述第二层具有大于所述第一层的所述厚度的厚度;

第二贵金属层,其接触所述第一贵金属的所述第一层;

附着到所述芯片安放衬垫的半导体芯片;

所述芯片和所述引线段之间的导电连接;以及

聚合封装材料,其覆盖所述芯片、所述连接和多个部分所述引线段。

2.根据权利要求1所述的器件,其中连续层的金属是镍。

3.根据权利要求1所述的器件,其还具有在所述薄片表面和所述第 一金属层之间的连续合金中间层。

4.根据权利要求3所述的器件,其中所述合金中间层包含与所述金 属基体相接触的镍层,随后是与所述镍层相接触的粘附镍钯层。

5.根据权利要求1所述的器件,其中所述第一贵金属是钯。

6.根据权利要求1或5所述的器件,其中所述第二贵金属是金。

7.根据权利要求6所述的器件,其从属于权利要求5,其中所述第 一贵金属的所述第一层具有在大约5nm至15nm之间的厚度,其中所述 第一贵金属的所述第二层具有在大约20nm至100nm之间的厚度,并且 其中所述第二贵金属的厚度在大约2nm至5nm之间。

8.一种用于制作引线框架板条的方法,其包含以下步骤:

提供具有第一和第二表面的结构化基体金属薄片;

在所述第一和第二薄片表面电镀连续镍层;

电镀第一钯层至受控的厚度以覆盖所述第一薄片表面上的所述镍 层;

同时电镀第二钯层至大于第一层厚度的厚度以覆盖所述第二薄片 表面的所述镍层;以及

电镀金层以覆盖所述第一薄片表面上的所述钯层。

9.根据权利要求8所述的方法,其还包含在电镀所述镍层的步骤之 前在所述基体金属表面上电镀一层合金中间层的步骤,中间层电镀由以 下步骤组成:在所述薄片金属表面上电镀镍种子层,随后在所述镍种子 层上电镀钯-镍合金层。

10.根据权利要求8或9所述的方法,其中所述第一和第二钯层在同 一电解槽内被同时电镀,这时使用所述基体金属薄片作为阴极并放置与 所述第一和第二薄片表面相对的独立阳极,从而各个钯层厚度由从以下 过程控制组成的群组中选出的至少一个过程控制决定:控制阳极电位、 控制阳极间距、控制阳极长度、控制阳极屏蔽和控制镀液流体流动。

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