[发明专利]聚合物和组合物

说明书

本发明涉及可通过光化辐射例如UV辐射和/或电子束固化的脲烷丙烯酸酯树脂领域。 

脲烷丙烯酸酯便利地用来制备用作增韧剂、增塑剂和/或软化剂的辐射可固化树脂组合物。常常，此类脲烷丙烯酸酯包含异氰脲酸酯基。 

然而，大多数常规脲烷丙烯酸酯对在上述应用中的使用具有多种缺点，尤其是当用于盖孔应用时更如此。 

在此使用的术语“盖孔(tenting)”是指以下制备电路板的方法。在第一个步骤中，将光可固化树脂(称为光致抗蚀剂)的干膜施加到铜箔中的层压板(clad)上。在第二个步骤中，经由待生产的电路的负像将固化(通常UV)辐射施加到该涂覆的层压件上。由此仅在与所需电路对应的那些面积中固化了该光致抗蚀剂。接下来，显影步骤，将该基材浸入显影剂或蚀刻剂之中并且铜箔将在其不受经固化的光致抗蚀剂保护的位置被除去。在最后一个步骤中除去(剥离)光致抗蚀剂以暴露出在下面的铜电路。 

然而，如果光致抗蚀剂不具有足够好的盖孔性能，则铜箔不会被足够地保护以免受显影剂影响。在更糟的情况下，电路中将出现的破裂将使得该电路板不可用并且甚至所需图案中的孔洞可能有其它不希望的影响(例如电路电性能的不希望的变化)。在盖孔应用中，还合乎需要的是，光致抗蚀剂具有足够的柔韧性以易于施加和使用以及提供改进的耐显影性以保护电路图像。这可以通过利用增韧剂、软化剂和/或增塑剂和/或改进光致抗蚀剂的固有性能来实现。 

已知的脲烷丙烯酸酯的缺点包括以下的一些或全部。脲烷丙烯酸酯在聚合物组合物中产生浮渣和/或是过高结晶的。如果使用二官能化脲烷丙烯酸酯，则该组合物过软，但是如果使用高度官能化的脲烷丙烯酸酯，则树脂过脆。改性脲烷丙烯酸酯以解决这些问题可能导致聚 合物组合物损失实用的盖孔强度。 

多种异氰脲酸酯基脲烷丙烯酸酯是已知的，例如下述的那些。 

JP 57-55914-A(Hitachi Chem.)公开了用于焊接掩模和/或电镀抗蚀剂的含脲烷丙烯酸酯的干膜光致抗蚀剂。然而，那些脲烷丙烯酸酯具有好的耐化学物质和/或热性但是盖孔强度差。 

JP 59-157112公开了采用聚己内酯变型的本文中的对比实施例(见下文)。 

JP 62-050315公开了PTMG基脲烷丙烯酸酯。 

JP 62-215618公开了得自多异氰酸酯/聚醚多元醇/丙烯酸一羟基烷基酯结合物与THEIC三(甲基)丙烯酸酯和单官能化(甲基)丙烯酸酯的脲烷丙烯酸酯。 

JP 62-290705公开了包括THEIC三(甲基)丙烯酸酯、PPG或PEG基脲烷(甲基)丙烯酸酯的阻焊制剂。 

JP 63-027518描述了PTMG/H12MDI基脲烷丙烯酸酯。 

JP 63-090525公开了得自多异氰酸酯/聚醚多元醇/丙烯酸一羟基烷基酯/HO-R¹-S-R²-OH的脲烷丙烯酸酯(其中R¹和R²表示烷基链)。 

JP 63-090526描述了得自多异氰酸酯/聚酯多元醇(M_w 600-4000)/二醇(M_w 60-200)/丙烯酸一羟基烷基酯的脲烷丙烯酸酯。以下结构是由TDI/聚酯多元醇(M_w 1000)/1，4-丁二醇或1，6-己二醇或3-甲基-1，6-戊二醇/HEA举例的那些。 

JP 63-270719公开了PTMG基脲烷丙烯酸酯。 

JP 02-034620公开了(a)脲烷(甲基)丙烯酸酯(b)一和多官能不饱和化合物(c)氧化膦衍生物作为光引发剂。以下三类脲烷丙烯酸酯是仅有的举例：(i)HEA/TDI/PTMG#1000/TDI/HEA(ii)HPA/HDI/PTMG#2000/HDI/HPA和(iii)HEA/TDI/PPG，PTMG共聚物#2000/TDI/HEA。 

JP 04-130119描述了与稍后在本申请中描述的对比实施例相似的材料。 

JP 04-306218描述了通过使HDI或HDI/IPDI和C_6-9脂族醇反应获 得的具有异氰脲酸酯结构和脲基甲酸酯结构的多异氰酸酯混合物。在要求的结构内不存在辐射可固化官能团。JP 05-117348公开了高折射指数的TDI基脲烷丙烯酸酯。 

JP 05-273754-A(Sunopco)公开了具有耐化学物质和热性的用于液态光可成像焊接掩模的异氰脲酸酯基脲烷丙烯酸酯。