[发明专利]开路电压增加的有机光敏性装置有效
| 申请号: | 200680038347.9 | 申请日: | 2006-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN101288188A | 公开(公告)日: | 2008-10-15 |
| 发明(设计)人: | 史蒂芬·R·福里斯特 | 申请(专利权)人: | 普林斯顿大学理事会 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 郑立;林月俊 |
| 地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 开路 电压 增加 有机 光敏 装置 | ||
1.一种光敏性装置,包含:
阳极和阴极;和
形成在所述阳极和所述阴极之间电连接的施主-受主异质结的第一有机材料和第二有机材料,其中被布置在所述光敏性装置中的所述第一和第二有机材料各自具有小于0.5eV的Franck-Condon位移。
2.如权利要求1所述的光敏性装置,其中被布置在所述光敏性装置中的所述第一和第二有机材料两者均具有小于0.2eV的Franck-Condon位移。
3.如权利要求2所述的光敏性装置,其中被布置在所述光敏性装置中的所述第一和第二有机材料中至少一种的所述Franck-Condon位移小于0.1eV。
4.如权利要求3所述的光敏性装置,其中被布置在所述光敏性装置中的所述第一和第二有机材料两者均具有小于0.1eV的Franck-Condon位移。
5.如权利要求1所述的光敏性装置,其中如果以溶液形式测量,所述第一有机材料和所述第二有机材料各自具有小于0.5eV的Franck-Condon位移。
6.如权利要求5所述的光敏性装置,其中如果以溶液形式测量,所述第一有机材料和所述第二有机材料两者均具有小于0.2eV的Franck-Condon位移。
7.如权利要求6所述的光敏性装置,其中如果以溶液形式测量,所述第一有机材料和所述第二有机材料两者均具有小于0.1eV的Franck-Condon位移。
8.如权利要求1所述的光敏性装置,其中布置所述第一和第二有机材料中的至少一种,以在所述光敏性装置中形成J-聚集体。
9.如权利要求1所述的光敏性装置,其中在所述光敏性装置中将所述第一和第二有机材料中的至少一种布置为至少三个分子定向的堆叠,从而所述分子的平面是平行的,所述堆叠没有分裂、堆叠错误和错位。
10.如权利要求1所述的光敏性装置,其中所述第一和第二有机材料中的至少一种由不具有单键支链基团的分子组成。
11.如权利要求1所述的光敏性装置,其中所述第一和第二有机材料中的至少一种由具有稠环的平面分子组成。
12.如权利要求11所述的光敏性装置,其中所述具有稠环的平面分子选自苯、卟啉类化合物、酞菁和多并苯。
13.如权利要求1所述的光敏性装置,其中所述施主-受主异质结形成第一光伏电池,所述装置进一步包含:
光伏电池的堆叠,每个电池包含施主-受主异质结,所述第一光伏电池在所述堆叠内;和
在所述堆叠中的所述光伏电池的两个之间的导电材料,
所述导电材料被布置为:
在所述堆叠之外没有电连接的电荷转移层,
在所述堆叠之外没有电连接的复合区域,或
在所述堆叠之外没有电连接的电极。
14.如权利要求1所述的光敏性装置,其中所述施主-受主异质结选自块状异质结、混合的异质结、平面异质结和混合式异质结。
15.一种方法,包含:
提供第一导电层;
在所述第一导电层上布置第一有机材料和第二有机材料,以形成施主-受主异质结;和
在所述第一和第二有机材料上形成第二导电层,
其中如果在形成所述第二导电层之后测量,被布置以形成所述施主-受主异质结的所述第一和第二有机材料各自具有小于0.5eV的Franck-Condon位移。
16.如权利要求15所述的方法,其中如果在形成所述第二导电层之后测量,被布置以形成所述施主-受主异质结的所述第一和第二有机材料两者的所述Franck-Condon位移均具有小于0.2eV的Franck-Condon位移。
17.如权利要求16所述的方法,其中如果在形成所述第二导电层之后测量,被布置以形成所述施主-受主异质结的所述第一和第二有机材料中至少一种的所述Franck-Condon位移具有小于0.1eV的Franck-Condon位移。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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