[发明专利]自适应输入单元电路

权利要求书

1、一种可配置控制系统，包括：

同步控制模块；

多个可配置的信号获得模块，其与所述同步控制模块连接；

控制逻辑，其与所述多个信号获得模块连接；

多个相同输入单元，其与所述多个信号获得模块以及相应多个输入管脚分别连接；以及

同步信号发生器，其与所述同步控制模块以及所述多个输入单元连接，所述多个输入单元的每一个用于将输入信号参数转换为时基参数，并且所述多个信号获得模块的每一个被配置成将所述时基参数转换为需要的数字形式，所述输入单元包括：

比较器，其具有第一输入、第二输入和输出；

第一电阻器组合，其串联连接在第一基准电压源和比较器的第一输入之间；

第一电磁控制开关，其串联连接在电阻器组合中的至少一个电阻器和地面之间，其中所述第一电磁控制开关响应于来自信号获得模块的偏置控制信号而在引起上拉偏置施加到多个输入管脚中的其中一个的一个开关状态和引起下拉偏置施加到该多个输入管脚中的所述其中一个的另一个开关状态之间切换；

第二电阻器组合，其连接在第二基准电压源、用以接收来自所述同步控制模块的波形信号的输入以及所述比较器的第二输入之间；以及

第二电磁控制开关，其串联连接在第二电阻器组合中的至少一个电阻器和第二参考电压源之间，所述第二电磁控制开关响应于来自信号获得模块的偏置控制信号而在引起所述波形信号施加到所述比较器的一个开关状态和引起所述波形信号的偏置和衰减施加到所述比较器的另一个开关状态之间选择性地切换。

2、根据权利要求1的可配置控制系统，其中所述比较器适合于接收来自所述输入信号管脚的输入信号和来自所述同步信号发生器的同步信号，并产生比较器输出信号到所述信号获得模块。

3、根据权利要求1的可配置控制系统，其中所述第一电磁控制开关和第二电磁控制开关为N沟道场效应晶体管、P沟道场效应晶体管、光耦合器、和继电器中的其中之一。

4、根据权利要求1的可配置控制系统，其中第一电磁控制开关和第二电磁控制开关中的至少一个响应于电信号、光学信号或磁信号从导电状态转换到不导电状态。

5、根据权利要求1的可配置控制系统，其中所述输入单元被创造、组装、制造、焊接或形成在具有所述同步控制模块、所述控制逻辑和所述同步信号发生器中的至少一个的公共基板上。

6、一种获得多个信号的方法，包括以下步骤：

提供同步控制模块，配置与所述同步控制模块连接的多个可配置信号获得模块；

提供与所述多个信号获得模块连接的控制逻辑；

提供与所述多个信号获得模块分别连接的多个输入单元，每一个输入单元将输入信号参数转换成多个时基参数；

提供与所述获得多个输入信号的多个输入单元连接的同步信号发生器，每个所述输入信号由所述多个输入单元中之一获得；

将所述获得的输入信号转换成多个时基参数；以及

将所述多个时基参数转换成数字形式，其中所述获得的输入信号到多个时基参数的转换是由多个输入单元中的第一电磁控制开关和第二电磁控制开关控制。

7、根据权利要求6的方法，其中连接到所述多个输入单元之一的所述信号获得模块被配置成根据表征由所述多个输入单元之一获得的输入信号的参数类型而控制所述第一电磁控制开关和第二电磁控制开关。

8、根据权利要求7的方法，其中将所述获得的输入信号转换为多个时基参数以及将所述时基参数转换为需要的数字形式的所述步骤是基于控制第一电磁控制开关和第二电磁控制开关的外部供给的电磁信号而执行。