[发明专利]使用燃烧火焰的衬底处理方法和装置无效
| 申请号: | 200680034386.1 | 申请日: | 2006-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN101278379A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
| 发明(设计)人: | 乔尔·B·贝利;约翰尼·D·奥尔蒂斯;迈克尔·D·罗宾斯;理查德·E·罗克 | 申请(专利权)人: | 美国阿可利技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/3213;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐江华;王珍仙 |
| 地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 使用 燃烧 火焰 衬底 处理 方法 装置 | ||
1、一种衬底表面蚀刻方法,包括:
对包含氢气和非氧类氧化剂气体的燃烧火焰进行点火;以及
将所述燃烧火焰引导到所述衬底表面上。
2、根据权利要求1所述的衬底表面蚀刻方法,进一步包括:使惰性气体在所述衬底表面的至少一部分的上方流动。
3、根据权利要求2所述的方法,其中,所述惰性气体为氩气。
4、根据权利要求1所述的衬底表面蚀刻方法,其中,所述方法在基本是大气压的压力下执行。
5、根据权利要求1所述的衬底表面蚀刻方法,其中,在将所述燃烧火焰引导到所述衬底表面上之前,使用光纤耦合激光二极管阵列来预热所述衬底表面。
6、根据权利要求1所述的衬底表面蚀刻方法,其中,在所述燃烧火焰将被引到之处附近,预热所述衬底表面。
7、根据权利要求1所述的衬底表面蚀刻方法,其中,所述方法在基本非电离的环境中执行。
8、根据权利要求1所述的衬底表面蚀刻方法,其中,所述非氧类氧化剂为三氟化氮。
9、根据权利要求8所述的方法,其中,所述氢气与所述三氟化氮的摩尔比为大约3∶2。
10、根据权利要求1所述的衬底表面蚀刻方法,其中,向所述衬底表面的边缘部分引导所述燃烧火焰。
11、根据权利要求10所述的方法,其中,转动所述衬底,对所述衬底表面的边缘区域进行蚀刻。
12、根据权利要求1所述的衬底表面蚀刻方法,其中,被蚀刻的材料为SiO2。
13、根据权利要求1所述的衬底表面蚀刻方法,其中,被蚀刻的材料为Si。
14、根据权利要求1所述的衬底表面蚀刻方法,其中,被蚀刻的材料为Ta。
15、根据权利要求1所述的衬底表面蚀刻方法,其中,所述非氧类氧化剂为氟(F2)。
16、根据权利要求1所述的衬底表面蚀刻方法,其中,所述非氧类氧化剂为氯(Cl2)。
17、根据权利要求1所述的衬底表面蚀刻方法,其中,所述非氧类氧化剂为三氟化氯(ClF3)。
18、一种采用根据权利要求1所述的方法处理的衬底晶片。
19、一种从衬底表面去除至少一部分材料的方法,所述方法包括:
将所述衬底表面暴露于氢气和三氟化氮气体的基本非电离的燃烧火焰。
20、根据权利要求19所述的方法,其中,所述衬底表面的暴露也在惰性气体存在下进行。
21、根据权利要求19所述的方法,其中,所述衬底表面的暴露基本在大气压下进行。
22、根据权利要求19所述的方法,进一步包括,在暴露所述衬底表面之前,加热所述衬底。
23、根据权利要求19所述的方法,进一步包括,向所述衬底的边缘引导所述燃烧火焰。
24、根据权利要求19所述的方法,进一步包括,沿着径向向外方向从所述衬底的中心向所述衬底的边缘所述燃烧火焰引导。
25、一种采用根据权利要求19所述的方法所蚀刻的衬底晶片。
26、一种衬底处理方法,包括:
提供惰性环境;
在所述惰性环境中对氢气和非氧类氧化剂的燃烧火焰进行点火;以及
将所述燃烧火焰引导到衬底上。
27、一种采用氢气和非氧类氧化剂的燃烧火焰对衬底进行处理的衬底处理装置,包括:
处理室,其用于容纳所述衬底,并用于界定用于所述氢气和非氧类氧化剂的燃烧火焰的惰性环境,其中,所述处理室保持基本为大气压;
氢气和非氧类氧化剂源,其可操作地连接到所述处理室;和
在所述处理室内的喷嘴组件,用于将所述燃烧火焰引导到所述衬底上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





