[发明专利]成膜方法和成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，其特征在于：

包括向能够抽真空的处理容器内供给高熔点金属有机原料气体和含氮气体，在载置于该处理容器内的被处理体表面形成高熔点金属的金属化合物膜的薄膜的成膜工序，

其中，为了提高薄膜中所含碳的浓度，在成膜工序中的含氮气体的分压为17％以下。

2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

包括在所述成膜工序后，在含氮气体或含硅气体的气氛中对所述薄膜进行退火处理的退火工序。

3.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：

所述退火工序在含硅气体的气氛中一直进行到在所述薄膜上形成硅膜。

4.如权利要求2或3所述的成膜方法，其特征在于：

所述成膜工序和所述退火工序依照该顺序重复进行多次。

5.一种成膜方法，其特征在于：

包括向能够抽真空的处理容器内供给高熔点金属有机原料气体，在载置于该处理容器内的被处理体表面形成高熔点金属的金属化合物膜的薄膜的成膜工序，

其中，为了提高薄膜中所含碳的浓度，在成膜工序中，不供给含氮气体，而仅供给高熔点金属有机原料气体。

6.如权利要求5所述的成膜方法，其特征在于：

包括在所述成膜工序后，在含氮气体或含硅气体的气氛中对所述薄膜进行退火处理的退火工序。

7.如权利要求6所述的成膜方法，其特征在于：

所述退火工序在含硅气体的气氛中一直进行到在所述薄膜上形成硅膜。

8.一种成膜方法，其特征在于：

包括：向能够抽真空的处理容器内供给高熔点金属有机原料气体的第一气体供给工序；和

向所述处理容器内供给含氮气体和/或含硅气体的第二气体供给工序，

在载置于所述处理容器内的被处理体表面形成高熔点金属的金属化合物膜的薄膜，

其中，为了提高薄膜中所含碳的浓度，交替进行多次第一气体供给工序和第二气体供给工序。

9.如权利要求8所述的成膜方法，其特征在于：

在第一气体供给工序和第二气体供给工序之间，进行排除所述处理容器内的残留气体的清扫工序。

10.如权利要求2～4和6～9中任一项所述的成膜方法，其特征在于：

所述含硅气体是选自甲硅烷[SiH₄]、乙硅烷[Si₂H₆]、甲基硅烷[CH₃SiH₃]、二甲基硅烷[(CH₃)₂SiH₂]、六甲基二硅氮烷(HMDS)、二硅烷基胺(DSA)、三硅烷基胺(TSA)、二叔丁基氨基硅烷(BTBAS)、三甲基硅烷、四甲基硅烷、双二甲基氨基硅烷、四二甲基氨基硅烷、三乙基硅烷、四乙基硅烷中的气体。

11.如权利要求1～4和6～10中任一项所述的成膜方法，其特征在于：

所述含氮气体由选自氨[NH₃]、肼[NH₂NH₂]、甲基肼[(CH₃)(H)NNH₂]、二甲基肼[(CH₃)₂NNH₂]、叔丁基肼[(CH₃)₃C(H)NNH₂]、苯基肼[(C₆H₅N₂H₃)、2，2’-偶氮异丁烷[(CH₃)₆C₂N₂)]、乙基叠氮化物[(C₂H₅N₃)]、吡啶[(C₅H₅N)]、嘧啶[(C₄H₄N₂)]中的一种化合物构成。