[发明专利]电流或电压测量电路、读出电路、非易失性半导体存储器及差动放大器

权利要求书

1.一种电压测量电路，对第一电压和第二电压之间的电压差进行测量，其特征在于：

该电压测量电路包括：

一对布线，由被供给上述第一电压的第一布线、和被供给上述第二电压的第二布线构成，并且上述第一布线和上述第二布线被构成为上述第一布线所具有的寄生电容和上述第二布线所具有的寄生电容大致相等，以及

差动放大器，对从上述第一布线输入的电压和从上述第二布线输入的电压进行差动放大。

2.一种电流测量电路，对向被测量物的两个端子中的一个端子流入或从被测量物的两个端子中的另一个端子流出的电流进行测量，其特征在于：

该电流测量电路包括：

一对布线，由连接在上述两个端子中的一个端子上的第一布线、和连接在上述两个端子中的另一个端子上的第二布线构成，并且上述第一布线和上述第二布线被构成为上述第一布线所具有的寄生电容和上述第二布线所具有的寄生电容大致相等，以及

差动放大器，对流经上述一对布线的电流进行差动放大。

3.一种读出电路，其特征在于：

该读出电路包括：

一对布线，由连接在存储单元的源极扩散区域上的位线即源极线、和连接在漏极扩散区域上的位线即漏极线构成，并且上述源极线和上述漏极线被构成为上述源极线所具有的寄生电容和上述漏极线所具有的寄生电容大致相等，以及

差动放大器，对上述源极线上的电压和上述漏极线上的电压进行差动放大。

4.根据权利要求3所述的读出电路，其特征在于：

该读出电路还包括：

第一预充电电路，将上述源极线预充电到第一电压电位，和

第二预充电电路，将上述漏极线预充电到第二电压电位；

上述差动放大器被构成为在上述源极线和漏极线的预充电解除后进行差动放大。

5.根据权利要求4所述的读出电路，其特征在于：

上述一对布线、差动放大器、第一预充电电路以及第二预充电电路各设置有两个，分别用于参考存储单元和读出数据的读出存储单元，

上述读出存储单元用差动放大器的输出电压和上述参考存储单元用差动放大器的输出电压被差动放大。

6.根据权利要求3所述的读出电路，其特征在于：

该读出电路还包括电流监测器，该电流监测器输出与流经上述源极线的电流量相对应的电压信号、以及与流经上述漏极线的电流量相对应的电压信号，

上述差动放大器对上述电流监测器输出的信号进行差动放大。

7.根据权利要求6所述的读出电路，其特征在于：

该读出电路还包括用于参考存储单元和用于读出存储单元的两个电流监测器，该电流监测器输出与流经上述源极线的电流量相对应的电压信号、以及与流经上述漏极线的电流量相对应的电压信号，

上述读出存储单元用差动放大器被构成为对读出存储单元用电流监测器所输出的信号进行差动放大，

上述参考存储单元用差动放大器被构成为对参考存储单元用电流监测器所输出的信号进行差动放大。

8.一种非易失性半导体存储器，是假接地阵列结构的非易失性半导体存储器，其特征在于：

该非易失性半导体存储器包括权利要求4所述的读出电路，

上述第二预充电电路构成为当存储单元被读出时对与被读出的存储单元相邻的存储单元的漏极线进行预充电。

9.一种非易失性半导体存储器，是假接地阵列结构的非易失性半导体存储器，其特征在于：

该非易失性半导体存储器包括：

权利要求6所述的读出电路，和

第一预充电电路，将上述源极线预充电到第一电压电位，以及

第二预充电电路，将上述漏极线预充电到第二电压电位；

上述第二预充电电路构成为当存储单元被读出时对与被读出的存储单元相邻的存储单元的漏极线进行预充电。