[发明专利]带气腔的倒装片封装有效

专利信息
申请号: 200680027126.1 申请日: 2006-07-24
公开(公告)号: CN101228622A 公开(公告)日: 2008-07-23
发明(设计)人: 吉尔特·斯蒂恩布鲁吉恩;保罗·戴克斯特拉 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/31;H01L23/495
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 陈源;张天舒
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 带气腔 倒装 封装
【权利要求书】:

1.一种方法(100),用以制造气腔封装的半导体器件,该半导体器件包括器件裸片,该器件裸片具有有效电路表面和背面,该有效电路表面有连接焊盘,该方法包括步骤:提供(5)引线框架,该引线框架具有上表面和下表面,该引线框架具有安置在上表面的预定焊盘;把层压材料涂敷(10)到引线框架的上表面;在层压材料中限定(15,20,25,30,35)气腔区域和接触区域,该接触区域提供了对安置在引线框架上的预定焊盘的电连接;以及以有效电路表面朝向所述层压材料的方式安装(40)器件裸片,用球键将有效电路表面的连接焊盘连接至安置在引线框架上的预定焊盘,在器件裸片的有效电路表面和引线框架的上表面之间形成气腔。

2.按照权利要求1所述的方法(100),还包括用耐用包壳密封(15)器件裸片的步骤。

3.按照权利要求2所述的方法,其中,引线框架还包括凹槽,凹槽为层压材料和密封材料中至少一种提供了机械连接。

4.按照权利要求1所述的方法,其中,限定的气腔区域和连接区域另外还包括:在层压材料上涂敷(15)光致抗蚀剂;对光致抗蚀剂进行掩模(20)以限定气腔区域和连接区域;曝光(25)光致抗蚀剂;蚀刻掉(30)层压材料中的曝光区域;以及清洗(35)引线框架和层压材料结构。

5.按照权利要求5所述的方法,还包括:对应于向安置在引线框架上的预定焊盘提供电连接的接触区域,蚀刻引线框架的下表面,从而进行电连接。

6.按照权利要求3所述的方法,其中,层压材料是光敏性的,并且限定气腔区域和接触区域的步骤还包括:对层压材料进行掩模以限定气腔区域和接触区域;曝光层压材料;蚀刻掉层压材料中的曝光区域;并清洗引线框架和层压材料结构。

7.按照权利要求1所述的方法,其中,预定焊盘有限定在其上的完整的球键。

8.一种半导体器件,其包括:载体(400),其有彼此相对的第一侧和第二侧,该载体有在第一侧上的第一导电层,该第一导电层以预定的图案形成图案,从而限定多个相互隔离的连接导体(410),其中在第二侧上,接触表面(480)被限定在连接导体中以放置在基片上;在载体的第一侧上的层压材料层(420),该层压材料有连接区域(450),其对应于相互隔离的连接导体的数目和预定图案,层压材料层具有限定在其中的气腔区域;其中,器件裸片(460)位于层压材料层的气腔区域(440)上方,器件裸片具有连接焊盘,其通过连接区域利用突出部电连接至载体的连接导体,所述突出部还把器件裸片连接到载体上,层压材料层延伸直至该载体;其中,层压材料层机械锚定在具有在连接导体(410)中限定的凹槽(490)的侧面上;器件裸片被密封在耐用包壳(470)中,该耐用包壳(470)延伸直至层压材料层上的载体,该耐用包壳连接至层压材料层。

9.按照权利要求9所述的半导体器件,其中,除了第一导电层,该载体还包括第二层和第三层,第二层包括可以在蚀刻剂中蚀刻的材料,该蚀刻剂使第一层和第三层基本完整。

10.按照权利要求9所述的半导体器件,其中,凹槽从载体的第一侧延伸至载体的第二侧。

11.按照权利要求10所述的半导体器件,其中,第一层和第三层包含铜,第二层包含从铝和镍铁合金的组中选择的材料。

12.一种用以封装半导体晶片上的多个器件芯片的方法(5),该半导体器件包括器件芯片,该器件芯片具有有效电路表面和背面,有效电路表面具有连接焊盘,该方法包括步骤:提供(5)多个引线框架,所述引线框架具有上表面和下表面,所述引线框架有安置在上表面的预定焊盘,多个引线框架包围半导体晶片上的多个器件芯片,多个引线框架具有限定单个封装器件的边界区域;把层压材料涂敷(10)到多个引线框架的上表面;在层压材料中限定(15,20,25,30,35)气腔区域和接触区域,所述接触区域提供对安置在引线框架上的预定焊盘的电连接;以有效电路表面朝向所述层压材料的方式安装(40,45)具有多个器件芯片的半导体基片,用球键将有效电路表面的连接焊盘连接至引线框架上的预定焊盘,在器件芯片的有效电路表面和引线框架的上表面之间形成气腔;用耐用包壳映射成型半导体基片;回蚀多个引线框架的下表面以保留电连接;以及在边界区域分离多个器件芯片。

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