[发明专利]氧化钇烧结体和耐腐蚀性部件、其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及烧结温度低且耐等离子体性优异的氧化钇烧结体。

背景技术

已知氧化钇(Y₂O₃)耐等离子体性优异。此外，在专利文献1～9和非专利文献1中提出了提高氧化钇(Y₂O₃)烧结体的密度、耐等离子体性的方案。

在专利文献1中，公开了以冷等静压(CIP)对氧化钇(Y₂O₃)粉末进行成型，在1400～1800℃下对该成型体进行烧成，暂时冷却该成型体后，在B₂O₃等硼化合物的存在下，在1400～2000℃下进行热处理，从而获得致密的氧化钇(Y₂O₃)烧结体。在该专利文献1中，作为获得致密的烧结体的理由，推定是由于如果存在硼化合物，则B₂O₃在烧成物内部扩撒，从而促进烧结。

在专利文献2中，提出作为耐等离子体性优异的氧化钇(Y₂O₃)烧结体，对氧化钇中所含的Si、Al，分别使Si为400ppm以下，Al为200ppm以下。

在专利文献3中，提出了作为耐等离子体性优异的氧化钇(Y₂O₃)烧结体，为了获得迄今尚未获得的相对密度95％以上的烧结体，作为烧结助剂，使用Zr、Si、Ce或Al。

在专利文献4～6中，记载了通过在热压制氧化钇(Y₂O₃)粉末后进行HIP处理，从而获得透光性和机械强度优异的氧化钇(Y₂O₃)烧结体，尤其是在专利文献4中，公开了作为烧结助剂，添加氟化锂或氟化钾，在专利文献5中，公开了作为烧结助剂，添加镧系元素氧化物，在专利文献6中，公开了使起始原料的氧化钇(Y₂O₃)粉末的比表面积(BET值)为2m²/g～10m²/g。

在专利文献7中，公开了与专利文献2类似的内容，提出了如下方案：对氧化钇中所含的Si、Al，分别使Si为200ppm以下，Al为100ppm以下，且Na、K、Ti、Cr、Fe、Ni为200ppm以下。

在专利文献8中，公开了在还原性气氛下，在1650～2000℃的范围对耐等离子体性优异的氧化钇(Y₂O₃)或氧化钇·铝·石榴石成型体进行烧成。

在专利文献9中，提出了作为在暴露于等离子体的位置所使用的耐腐蚀性陶瓷部件，由氧化钇、氧化铝和氧化硅构成的物质。

在非专利文献1中，公开了通过CIP(140MPa)对氧化钇(Y₂O₃)粉末进行成型，在1400～1700℃下使该成型体一次烧结，接着对该一次烧结体喷雾BN，通过HIP(140MPa、1400～1700℃)进行二次烧结，从而获得透光性优异的氧化钇(Y₂O₃)烧结体。

专利文献1：日本特开2000-239065号公报

专利文献2：日本特开2003-55050号公报

专利文献3：日本特开2001-181042号公报

专利文献4：日本特开平4-59658号公报

专利文献5：日本特开平4-238864号公报

专利文献6：日本特开平4-74764号公报

专利文献7：日本特开2002-255647号公报

专利文献8：日本特开2003-48792号公报

专利文献9：日本特开2001-31466号公报

非专利文献1：日本陶瓷协会2004年度演讲预备稿集2G09(通过HIP烧结制备透明氧化钇)

发明内容

发明要解决的问题

在上述专利文献和非专利文献中，公开了与本发明最接近的技术的是专利文献1和非专利文献1。因此，以下清楚说明专利文献1和非专利文献1中的课题。