[发明专利]大功率半导体激光二极管

权利要求书

1.一种大功率半导体激光二极管，包括：

半导体主体，

具有两个端部的活性区域，

封闭这两个端部的前面和后面，

覆盖所述半导体主体的至少一部分的第一注入装置，用于向所述活性区域注入电子，优选在所述激光器的n-触头侧，

与所述第一注入装置对向设置的第二注入装置，覆盖所述半导体主体的至少一部分，用于向所述活性区域注入空穴，优选在所述激光器的p-触头侧，其特征在于，

所述注入装置的至少一个包括金属化层和连接到所述金属化层的电接头，所述电接头被成形或构造，以使所述注入装置在所述两个端部的至少一个处产生减小的电流注入。

2.根据权利要求1所述的激光二极管，其中，

所述两个端部的至少一个为所述激光二极管中位于一个面与所述电接头之间的区域。

3.根据权利要求1或2所述的激光二极管，其中，

所述电接头包括具有多个电接头的结构，所述结构的尺寸为使得所述注入装置在所述两个端部的至少一个处产生减小的电流注入。

4.根据权利要求3所述的激光二极管，其中，

所述多个电接头包括多个连续电子或空穴注入点，它们基本上沿着所述激光二极管的长度方向紧密地排列延伸，所述连续注入点的第一个所在处分别与所述前面和/或与所述后面相距预定的距离。

5.根据权利要求1或2所述的激光二极管，其中，

所述电接头包括带状电接头，其尺寸为使得所述注入装置在所述两个端部的至少一个处产生减小的电流注入。

6.根据前面任一权利要求所述的激光二极管，其中，

所述金属化层中与所述两个面中的一个面相邻的部分比该金属化层中远离这个面的部分薄。

7.根据前面任一权利要求所述的激光二极管，其中，

所述金属化层薄至足以使得与所述至少一个端部相邻的至少一部分经历电压降，从而提供至少一个未泵浦端部。

8.根据前面任一权利要求所述的激光二极管，其中，

所述注入装置包括第二金属化层和相连的、成形的或非成形的第二电接头。

9.根据前面任一权利要求所述的激光二极管，其中，

所述注入装置包括多个布线触头，特别是包括紧密排列的布线结。

10.根据前面任一权利要求所述的激光二极管，其中，

到达每个电流注入点的电流被控制成提供激光二极管内的受控电流图案。

11.根据前面任一权利要求所述的激光二极管，进一步包括用于限制在所述两个端部的至少一个处的载流子注入的装置，所述注入限制装置包括绝缘层，该绝缘层覆盖所述激光二极管中与一个面相邻的一部分，以进一步减小一个端部的至少一部分中的电流注入。