[发明专利]嵌入了MRAM的智能功率集成电路

权利要求书

1.一种集成电路设备，包括：

基板；

磁随机存取存储器(MRAM)架构，其形成在所述基板上，所述MRAM架构包括：

MRAM电路部件，其由前端层形成；

MRAM单元阵列，其由后端层形成；和

智能功率架构，其形成在所述基板上，所述智能功率架构包括由所述前端层形成的智能功率部件。

2.如权利要求1所述的集成电路设备，所述MRAM电路部件通过前端制造工艺形成，所述MRAM单元阵列通过后端制造工艺形成，并且所述智能功率部件通过所述前端制造工艺形成。

3.如权利要求1所述的集成电路设备，所述智能功率架构进一步包括传感器，其形成在所述基板上并且耦合到所述智能功率部件，所述传感器包括由所述后端层形成的传感器部件。

4.如权利要求3所述的集成电路设备，所述MRAM电路部件通过前端制造工艺形成，所述MRAM单元阵列通过后端制造工艺形成，所述智能功率部件通过所述前端制造工艺形成，并且所述传感器部件通过所述后端制造工艺形成。

5.如权利要求3所述的集成电路设备，所述MRAM单元阵列包括由第一金属层形成的至少一条数字线、由第二金属层形成的至少一条比特线、和在所述第一金属层和所述第二金属层之间形成的磁隧道结核，并且，所述传感器部件由所述磁隧道结核形成。

6.如权利要求5所述的集成电路设备，所述传感器包括由所述第一金属层或所述第二金属层中的至少其中一个形成的额外的传感器部件。

7.如权利要求3所述的集成电路设备，所述传感器包括如下传感器中的一种或多种：环境条件传感器、电磁传感器、机电传感器、电属性传感器。

8.如权利要求1所述的集成电路设备，所述智能功率部件包括功率电路部件。

9.如权利要求1所述的集成电路设备，所述智能功率部件包括功率控制部件。

10.如权利要求1所述的集成电路设备，所述智能功率部件包括数字逻辑部件。

11.一种形成集成电路设备的方法，所述方法包括：

通过前端制造工艺在基板上形成磁随机存取存储器(MRAM)电路部件；

通过所述前端制造工艺在所述基板上形成智能功率部件；

通过后端制造工艺在所述基板上形成MRAM单元阵列；并且

通过所述后端制造工艺在所述基板上形成传感器部件。

12.如权利要求11所述的方法，其中形成所述MRAM单元阵列包括形成磁隧道结核，并且所述传感器部件由所述磁隧道结核形成。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述MRAM电路部件和所述智能功率部件通过所述前端制造工艺同时形成。

14.如权利要求11所述的方法，其中所述MRAM单元阵列和所述传感器部件通过所述后端制造工艺同时形成。

15.如权利要求11所述的方法，其中：

形成所述MRAM单元阵列包括：由第一金属层形成至少一条数字线，并且由第二金属层形成至少一条比特线；以及

所述方法进一步包括：由所述第一金属层或所述第二金属层中的至少其中一个形成额外的传感器部件。

16.一种集成电路设备，包括：

基板；

磁随机存取存储器(MRAM)架构，其通过MRAM制造工艺形成在所述基板上；和

智能功率架构，其形成在所述基板上，至少一部分所述智能功率架构是通过所述MRAM制造工艺形成的。

17.如权利要求16所述的集成电路设备，所述至少一部分所述智能功率架构和至少一部分所述MRAM架构通过所述MRAM制造工艺同时形成。

18.如权利要求16所述的集成电路设备，所述智能功率架构包括智能功率部件和耦合到所述智能功率部件的传感器，所述智能功率部件通过所述MRAM制造工艺的前端制造工艺形成，并且所述传感器通过所述MRAM制造工艺的后端制造工艺形成。

19.如权利要求18所述的集成电路设备，所述MRAM架构包括通过所述前端制造工艺形成的MRAM电路部件和通过所述后端制造工艺形成的MRAM单元阵列。

20.如权利要求19所述的集成电路设备，所述MRAM单元阵列包括通过所述后端工艺形成的磁隧道结核，并且所述传感器由所述磁隧道结核形成。