[发明专利]用于沉积工艺的高效阱有效
| 申请号： | 200680019702.8 | 申请日： | 2006-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101208779A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | R·霍格尔 | 申请（专利权）人： | 爱德华兹真空股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 工艺 高效 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体加工系统，它包括至少一个用于从真空加工单元的废气流中除去基本上所有的副产物的阱串组。
2.如权利要求1所述的半导体加工系统，其特征在于，它还包括与所述阱串组相关的氟源，所述氟源向所述阱提供氟以侵蚀所述阱中累积的副产物。
3.如权利要求1所述的半导体加工系统，其特征在于，它包括至少两个平行的阱串组。
4.一种半导体加工系统，它包括至少一个用于从真空加工单元的废气流中除去基本上所有的副产物的阱；用于向所述阱提供反应气体以驱动废气中的副产物在所述阱内完成反应的反应气体源；以及用于向所述阱提供氟以从所述阱中侵蚀累积的副产物的氟源。
5.如权利要求4所述的半导体加工系统，其特征在于，它包括至少两个平行的阱串组。
6.一种从半导体加工单元的废气中除去副产物的方法，该方法包括：
使所述废气通过阱串组以从所述废气中除去基本上所有的副产物；以及
将氟引入所述阱串组中以从所述阱中侵蚀累积的副产物。
7.一种从半导体加工单元的废气中除去副产物的方法，该方法包括：
使所述废气通过阱；
将反应气体引入所述阱中，以驱动所述废气中的副产物在所述阱内完成反应；以及
将氟引入所述阱串组中，以从所述阱中侵蚀累积的副产物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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