[发明专利]稳定性OLED材料和具有改进的稳定性的器件

权利要求书

1.磷光化合物，其中所述磷光化合物是单齿、二齿、三齿、四齿、五齿或六齿配位体的中性金属络合物；

其中所述配位体包括直接键接到金属上的至少一个第一芳基或杂芳基环；

其中所述第一环被第二芳基或杂芳基环取代，该第二芳基或杂芳基环不直接键接于金属上并且在两个邻位上独立地被选自芳基或杂芳基的取代基取代；

其中所述金属络合物是有机金属络合物；和

其中所述金属选自原子序数大于40的非放射性金属组成的组。

2.权利要求1的化合物，其中所述金属选自如下金属组成的组：Re，Ru，Os，Rh，Ir，Pd，Pt，Cu和Au。

3.权利要求2的化合物，其中所述金属选自Os，Ir和Pt组成的组。

4.权利要求3的化合物，其中所述金属是Ir。

5.权利要求1的化合物，其中所述第二环进一步被一个或多个芳基、杂芳基或吸电子基团取代。

6.权利要求5的化合物，其中所述第二环被苯并[9，10]菲基团取代。

7.权利要求5的化合物，其中所述第二环被包含咔唑的基团取代。

8.权利要求1的化合物，其中在所述第二环的邻位上的取代基是二芳基氨基芳基。

9.权利要求1的化合物，该化合物在磷光发射光谱中在低于约480nm的波长处具有最高能量峰。

10.权利要求1的化合物，它是homoleptic化合物。

11.权利要求1的化合物，它是heteroleptic化合物。

12.权利要求1的化合物，它是可升华的化合物。

13.权利要求1的化合物，其中所述第二环连接于所述第一环的氮原子上。

14.权利要求1的化合物，其中所述第一环是咪唑环。

15.权利要求1的化合物，其中所述第一环是吡唑环。

16.权利要求1的化合物，其中所述第一环是三唑环。

17.权利要求1的化合物，其中所述第一环是吡啶环。

18.权利要求1的化合物，其中所述第一环是苯环。

19.权利要求1的化合物，其中所述第一环被第三芳基或杂芳基环取代，该第三芳基或杂芳基环也直接键接于金属上。

20.权利要求19的化合物，其中所述第一和第三环一起构成单阴离子二齿配位体。

21.权利要求19的化合物，其中所述第三环选自如下基团组成的组：苯基，吡啶基，噻吩基，呋喃基，吡咯基，三唑基和嘧啶基。

22.权利要求19的化合物，其中所述第三环是被一个或两个氟基取代的苯基环。

23.权利要求19的化合物，其中所述第一和第三环被包括在单阴离子三齿配位体内。

24.权利要求19的化合物，其中所述第一和第三环一起构成中性二齿配位体。

25.权利要求1的化合物，其中所述连接于第二环的邻位上的基团选自1组。

26.权利要求1的化合物，其中所述第二环选自2c和2d组。

27.权利要求1的化合物，其中所述第一环选自3a-3b组。

28.权利要求19的化合物，其中所述第三环选自4组。

29.权利要求1的化合物，其中所述配位体选自5c组。