[发明专利]借助底漆将胶粘体粘结到基底上无效
| 申请号: | 200680016061.0 | 申请日: | 2006-05-10 |
| 公开(公告)号: | CN101175868A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
| 发明(设计)人: | S·利德利;N·谢泼尔;L·奥尼尔;F·古贝尔斯 | 申请(专利权)人: | 陶氏康宁爱尔兰有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/02 | 分类号: | C23C16/02 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 张钦 |
| 地址: | 爱尔*** | 国省代码: | 爱尔兰;IE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 借助 底漆 胶粘 粘结 基底 | ||
[000]本发明公开了在胶粘体和基底之间提供增加的粘合性的方法。胶粘体可以是在基底上的涂层(其中包括但不限于粘合剂或密封剂的涂层),或者可以是涂布在首先提及的基底粘结于其上的第二基底上的粘合层。
[0002]本发明利用底漆层以增加胶粘体与基底之间的粘合性。底漆强烈地粘结到基底和胶粘体上。
[0003]已利用等离子技术预处理基底表面,以改进随后施加的涂层的粘合性。等离子预处理的作用可包括清洁、降解和烧蚀聚合物基底的表面区域,交联聚合物基底的表面区域,导致引入极性基团例如羰基到基底的表面区域内的氧化,和/或在基底的表面区域内离子植入。WO-A-02/098962公开了通过将基底暴露于含硅化合物和通过氧化或还原、使用等离子体(尤其是大气辉光放电或介质阻挡放电或电晕处理)后处理该处理过的表面,从而涂布低能基底表面的方法。
[0004]EP-A-431951公开了用流出平行板反应器的气体处理基底的系统。它包括使气体流经一个或多个平行板反应器并允许流出的物质同与气体出口相邻放置的基底相互作用。Gherardi,N.等人的J.Phys D:Appl.Phys,2000,33,L104-L108公开了通过使N2、SiH4和N2的混合物穿过在两个平行电极之间形成的介质阻挡放电(DBD)等离子体,产生二氧化硅涂层。允许流出反应器的物质沉积在下游的基底上。
[0005]Inagaki等人在Int.J.Adhesion Adhesives,2,233,1982中公开了通过注射三甲基甲硅烷基二甲胺或六甲基二硅氮烷到氩气辉光放电中,处理数种不同的塑料基底。
[0006]WO-A-02/28548公开了通过引入雾化的液体和/或固体涂层形成材料到大气压等离子放电和/或由其形成的电离气体物流内,并在大气压条件下,将基底暴露于雾化的涂层形成材料下,从而在基底上形成涂层的方法。WO-A-03/097245公开了其中雾化的涂层形成材料在离开雾化器后穿过激发介质到达远离激发介质布置的基底上的方法。
[0007]已利用四甲基二硅氧烷的辉光放电聚合,在铂线材上沉积30nm厚的底漆层,之后用数微米厚的聚(对二甲苯)层涂布(Nichols等人的J.Appl.Polymer.Sci.,Appl.Polymer Symp,38,21,1984)。
[0008]WO-A-99/20809公开了下述方法:其中在从包围电极的导电环形腔室的闭合端流动到开放端的气体内,将气体前体引入到无电弧的大气压RF等离子放电中,以便该前体与反应性物质在等离子体内反应,形成经气体喷嘴的开放端流出并沉积在喷嘴路径内放置的基底上的材料。EP1230414公开了涂布表面的方法,其中通过传输工作气体通过激发区域,产生等离子体射流,其中在所述激发区域内,通过施加高频AC电压到电极上,产生电弧放电。将前体独立于工作气体引入到等离子射流内。在等离子体射流的辅助下引发前体的反应,并在待涂布的表面上沉积反应产物。
[0009]在将胶粘体粘结到基底上的本发明方法中,通过等离子体沉积,施加底漆到基底上,并将胶粘体粘结到基底的底漆处理过的表面上,和底漆包含可化学键合到胶粘体的官能团上的官能团。
[0010]胶粘体可以是在底漆上施加的涂层,或者可以是涂布在首先提及的基底粘结于其上的第二基底上的粘合层。
[0011]因此,根据本发明的一个方面,本发明包括涂布的制品,该制品包括用施加在底漆上的涂层涂布的基底,其特征在于通过等离子体沉积施加底漆到基底上,和胶粘体包含可化学键合到底漆内的官能团上的官能团。
[0012]根据进一步的方面,本发明包括粘结的制品,该制品包括通过施加在至少一个基底上的底漆上的粘合剂粘结的两个基底,其特征在于通过等离子体沉积施加底漆到基底上,和胶粘体包含可化学键合到底漆内的官能团上的官能团。
[0013]沉积底漆所使用的等离子体优选为非平衡的大气压等离子体。可以例如在具有入口和等离子体出口的电介质外壳内生成这种等离子体,其中工艺过程气体经所述电介质外壳从入口经过至少一个电极流动到出口。待处理的基底可与等离子体出口相邻地布置,以便基底接触等离子体,并相对于等离子体出口移动。
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