[发明专利]NAND闪存中阵列源极线的形成方法

权利要求书

1.一种在NAND闪存的晶片中制造阵列源极线结构的方法(500)，包括：

形成(510)多层电介质-电荷捕捉-电介质堆栈的第一电介质层和电荷捕捉层于该晶片的衬底和STI上；

注入(512)离子种于阵列源极线区域中，以结合该阵列源极线结构至源极/漏极区域；

形成(514)第二电介质层于该多层电介质-电荷捕捉-电介质堆栈的该电荷捕捉层上，以及形成高介电材料层于该第二电介质层上；

去除(516)该阵列源极线区域中的该高介电材料层和该多层电介质-电荷捕捉-电介质堆栈，从而定义该晶片的该阵列源极线区域中的该多层电介质-电荷捕捉-电介质堆栈中和该高介电材料层中的局部互连开口；

形成(518)多晶硅层于该晶片上，借此以多晶硅填满该局部互连开口；

选择性(520、522)去除该多晶硅层以及该高介电材料层，从而同时定义在该晶片的位线接触区域中的字线和选择漏极栅极结构、及在该晶片的源极线区域中的选择源极栅极结构和源极线结构；以及

注入(522、526)离子种通过该多晶硅层中和该高介电材料层中的这些开口以于该晶片的该位线接触区域和该源极线区域中形成该源极/漏极区域，其中，于该晶片的该源极线区域中形成的该源极线结构与该选择源极栅极结构的该源极/漏极区域结合。

2.一种在NAND闪存的晶片中制造阵列源极线结构的方法(550)，包括：

形成(560)多层电介质-电荷捕捉-电介质堆栈的第一电介质层和电荷捕捉层于该晶片的衬底和STI上；

注入(562)离子种、于阵列源极线区域中，以结合该阵列源极线结构至源极/漏极区域；

形成(564)第二电介质层于该多层电介质-电荷捕捉-电介质堆栈的该电荷捕捉层上，以及形成高介电材料层于该第二电介质层上；

形成(565)第一多晶硅层于该高介电材料层上以保护该外围区域中的该栅极氧化物材料；

去除(566)该阵列源极线区域中的该第一多晶硅层、该高介电材料层和该多层电介质-电荷捕捉-电介质堆栈，从而定义该晶片的该阵列源极线区域中的该多层电介质-电荷捕捉-电介质堆栈、该高介电材料层、以及该第一多晶硅层中的局部互连开口；

形成(568)第二多晶硅层于该第一多晶硅层上，从而通常以多晶硅填满该局部互连开口，用以互连该阵列源极线结构与源极/漏极区域；

选择性(570、572)去除该第一和第二多晶硅层以及该高介电材料层，从而同时定义在该晶片的位线接触区域中的字线和选择漏极栅极结构、及在该晶片的源极线区域中的选择源极栅极结构和源极线结构；以及

通过该第一和第二多晶硅层和该高介电材料层中的这些开口注入(572、576)离子种，从而在该晶片的该位线接触区域和该源极线区域中形成该源极/漏极区域，其中，于该晶片的该源极线区域中形成的该源极线结构与该选择源极栅极结构的该源极/漏极区域结合。

3.如权利要求2所述的方法，还包括沉积(574)绝缘层，从而形成侧壁间隔物于该位线接触区域中的该栅极结构的侧壁上，以及由此填满于该晶片的源极线区域中的栅极和阵列源极线结构之间；

在该位线接触区域中注入阵列离子种；以及

在核心区域的该多晶硅层中形成硅化物层以同时形成用于存储单元栅极、位线、字线、该选择栅极、以及该源极线结构接触栓的导电层。

4.如权利要求2所述的方法，还包括在该高介电材料层上形成第一多晶硅层以保护该外围区域中的该栅极氧化物材料之前，自该外围区域去除(566)该ONOA堆栈以及在该外围区域中形成栅极氧化物层。

5.如权利要求2所述的方法，其中，在阵列源极线区域注入(576)离子种以结合该阵列源极线结构至包括在该阵列源极线区域中注入N+离子种的源极/漏极区域，以及以结合该阵列源极线结构至中密度漏极区域。

6.如权利要求2所述的方法，其中，在该阵列源极线区域中的该离子种的该注入(576)是利用VSS注入掩模而完成，以结合该阵列源极线结构至中密度漏极区域。

7.如权利要求2所述的方法，其中，在该多层电介质-电荷捕捉-电介质堆栈上形成(564)的该高介电材料层包括氧化铝、氧化铪、以及高K材料层的其中之一。