[发明专利]半导体集成电路器件和使用该器件的调节器

权利要求书

1.一种半导体集成电路器件，包括：

半导体芯片，所述半导体芯片包括：

n个功率晶体管，由同一个控制信号控制所述n个功率晶体管的断开/闭合，

n个第一焊点，所述n个第一焊点各在n个功率晶体管之一的一端与该功率晶体管相连，

n个第二焊点，所述n个第二焊点各在n个功率晶体管之一的另一端与该功率晶体管相连，和

控制信号产生装置，用于产生所述控制信号；

第一框架，所述第一焊点通过对应的连接线与所述第一框架相连；和

第二框架，所述第二焊点通过对应的连接线与所述第二框架相连。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，

其中每个所述功率晶体管是双极性晶体管。

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件，

其中每个所述功率晶体管是PNP双极性晶体管，内置有

形成在轻掺杂p型衬底上的轻掺杂n型阱区，

埋在所述轻掺杂n型阱区之下的重掺杂n型埋入区，

形成在从所述轻掺杂n型阱区的顶部到底部的重掺杂n型汇入区，使得所述重掺杂n型汇入区与所述重掺杂n型埋入区接触，

形成在所述重掺杂n型汇入区中的特重掺杂n型基极区，并且所述特重掺杂n型基极区与所述控制信号产生装置的输出端相连，作为所述功率晶体管的基极，

形成在所述轻掺杂n型阱区中的重掺杂p型发射极区，所述重掺杂p型发射极区与所述第一焊点相连，作为所述功率晶体管的发射极，和

以将所述重掺杂p型发射极区夹在之间的方式、形成在所述轻掺杂n型阱区中的第一和第二重掺杂p型集电极区，所述第一和第二重掺杂p型集电极区与所述第二焊点相连，作为所述功率晶体管的集电极。

4.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件，

其中每个所述功率晶体管是NPN双极性晶体管，内置有

形成在轻掺杂p型衬底上的轻掺杂n型阱区，

埋在所述轻掺杂n型阱区之下的重掺杂n型埋入区，

形成在从所述轻掺杂n型阱区的顶部到底部的重掺杂n型汇入区，使得所述重掺杂n型汇入区与所述重掺杂n型埋入区接触，

形成在所述重掺杂n型汇入区中的特重掺杂n型集电极区，并且所述重掺杂n型集电极区与所述第一焊点相连，作为所述功率晶体管的集电极，

形成在所述轻掺杂n型阱区中的轻掺杂p型阱区，

形成在所述轻掺杂p型阱区中的重掺杂p型基极区，所述重掺杂p型基极区与所述控制信号产生装置的输出端相连，作为所述功率晶体管的基极，和

形成在所述轻掺杂p型阱区中的重掺杂n型发射极区，所述重掺杂n型发射极区与所述第二焊点相连，作为所述功率晶体管的发射极。

5.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，

其中每个所述功率晶体管是场效应晶体管。

6.根据权利要求5所述的半导体集成电路器件，

其中每个所述功率晶体管是p沟道场效应晶体管，内置有

形成在轻掺杂p型衬底上的第一轻掺杂n型阱区，

埋在所述第一轻掺杂n型阱区之下的重掺杂n型埋入区，

形成在所述第一轻掺杂n型阱区中的第二轻掺杂n型阱区，

形成在所述第二轻掺杂n型阱区中的重掺杂p型源极区，所述重掺杂p型源极区与所述第一焊点相连，作为所述功率晶体管的源极，

形成在所述第二轻掺杂n型阱区中的重掺杂p型漏极区，所述重掺杂p型漏极区与所述第二焊点相连，作为所述功率晶体管的漏极，

以横跨所述重掺杂p型源极区和所述重掺杂p型漏极区之间的边界的方式形成的栅极区，所述栅极区与所述控制信号产生装置的输出端相连，作为所述功率晶体管的栅极，和

形成在所述第二轻掺杂n型阱区中的重掺杂n型背栅极区，所述重掺杂n型背栅极区与所述第一焊点相连，作为所述功率晶体管的背栅极。