[发明专利]摄像装置以及电子器具无效
| 申请号: | 200680007951.5 | 申请日: | 2006-03-03 |
| 公开(公告)号: | CN101138090A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
| 发明(设计)人: | 西川卓男;丹生和男;高桥弘 | 申请(专利权)人: | 柯尼卡美能达精密光学株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H04N5/335 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 曲莹 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 摄像 装置 以及 电子 器具 | ||
技术领域
本发明涉及能够搭载于手机和便携电脑等电子器具的摄像装置,以及内藏该摄像装置的电子器具。
背景技术
从早些时期起,已经有能够搭载于手机和个人电脑等电子器具的小型高性能的摄像装置被开发。这种摄像装置中,有的备有CMOS(Complementary Metal-oxide Semiconductor)型影像传感等半导体摄像元件(例如参照专利文献1)。另外,还有一种摄像装置被建议,其中,将半导体摄像元件装配在基板上,使该基板和包括在半导体摄像元件上聚光用的镜头等光学部件一体化。
但是,CMOS型的影像传感中,是由分别设在每一像素中的晶体管等增幅部,对光电变换部的各像素中蓄积的信号电荷进行增幅之后,将其取出。所以,由于增幅部性能的参差等原因,发生固定模式(pattern)和噪声,而为了除去发生的固定模式和噪声再进行输出,在光电变换部的旁边配置CDS(Correlated Double Sampling)回路等。
但是,存在如下问题,即对被摄物体进行摄像等时,当有太阳光等光线入射到CDS回路等模拟回路时,模拟回路的电容器中蓄积的信号电荷将超过由光电变换部变换而成的信号电荷,这样导致摄像图像的图像质量降低。即存在如下问题,模拟回路的表面配设有铝层等配线,该配线层起到遮光作用,遮挡入射到模拟回路的光,但是,模拟回路与光电变换部之间,由于制造上的原因,模拟回路部设有的配线层和光电变换部设有的配线层之间,有出现间隙的情况,该间隙导致遮光不足。
[专利文献1]特开2003-60187号公报
发明内容
本发明的课题是提供一种能够防止摄像图像之图像质量下降的摄像装置,以及内藏了摄像装置的电子器具,其中,。
为了解决上述课题,本发明涉及的摄像装置备有:
光学部件;
半导体摄像元件,其中设有光电变换部和模拟回路部,所述光电变换部对由所述光学部件聚光的光信号进行光电变换并蓄积电信号,设有配线层,所述模拟回路部与所述光电变换部邻接配置,设有配线层,用来输出蓄积在所述光电变换部的所述电信号;
光侵入防止部,其防止光线从所述模拟回路部设有的配线层与所述光电变换部设有的配线层之间隙侵入。
另外,上述摄像装置且备有基板,其上开有开口部,由所述光学部件所聚的光穿过该开口部,
所述半导体元件装配在所述基板的反面,
所述光电变换部对穿过所述开口部的光进行光电变换,作为电信号蓄积,
所述光侵入防止部也可以通过作如下配置构成,使所述光电变换部的所述模拟回路部侧的端部,与所述基板的所述开口部的端部,在入射到所述光学部件的光的光轴方向上几乎重叠,或位于比所述开口部来得外侧的位置。
另外,上述摄像装置且备有基板,其上开有开口部,由所述光学部件所聚的光穿过该开口部,
所述半导体摄像元件装配在所述基板的反面,
所述光电变换部对穿过所述开口部的光进行光电变换,作为电信号蓄积,
所述光侵入防止部也可以是具有遮光性的密封树脂,将其设置成覆盖所述模拟回路部设有的配线层与所述光电变换部设有的配线层之间隙的至少一部分。
另外,上述摄像装置中,所述光侵入防止部也可以是具有遮光性的遮光部件,将其设置在所述模拟回路部设有的配线层与所述光电变换部设有的配线层之间隙的至少一部分上。
附图说明
图1:本发明实施方式1的摄像装置立体示意图。
图2:沿图1中II-II线的摄像装置一部分省略截面图。
图3:图1摄像装置所备半导体摄像元件的光电变换部与模拟回路部回路结构说明图。
图4:半导体摄像元件的截面构造说明图。
图5:图3的半导体摄像元件以及基板的配置状态说明图。
图6:搭载了本发明摄像装置的手机一例,其正面以及反面示意图。
图7:应用了本发明的实施方式2的摄像装置一部分省略截面示意图。
图8:图7摄像装置所备半导体摄像元件的截面构造说明图。
具体实施方式
为了达成上述目的,本发明的具体构成如下。
1.一种摄像装置,备有:
光学部件;
半导体摄像元件,其中设有光电变换部和模拟回路部,所述光电变换部对由所述光学部件聚光的光信号进行光电变换并作为电信号蓄积,所述模拟回路与光电变换部邻接配置,用来输出蓄积在所述光电变换部的所述电信号;
光侵入防止部,其防止光线从所述模拟回路部设有的配线层与所述光电变换部设有的配线层之间隙侵入。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





