[发明专利]碳化硅单晶的制造方法无效
| 申请号： | 200680004816.5 | 申请日： | 2006-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101120124A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 河原孝光;八木邦明;八田直记;长泽弘幸 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C23C16/02;C23C16/42;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅单晶的制造方法，其是使碳化硅单晶层在单晶基板的表 面同质外延生长或异质外延生长的碳化硅单晶的制造方法，其中，
在上述单晶基板表面，形成在与该基板表面基本平行的一个方向上延伸 的多个起伏，且该起伏在上述单晶基板的厚度方向上波动，并且，设置该起 伏，使得由伴随着碳化硅单晶的外延生长而传播的反相区域边界面和/或双晶 带形成的表面缺陷彼此会合，
上述起伏的波动周期和波动振幅比存在于与上述起伏延伸方向基本垂 直方向的起伏周期和起伏振幅大。
2.权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，上述起伏的波动 周期是在与上述起伏延伸方向基本垂直的方向上的起伏周期的100～700倍， 且波动周期除以波动振幅的值为60～700。
3.权利要求2所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，上述起伏的波动 周期在0.2～0.7mm的范围内。
4.权利要求1～3中任一项所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，上述 单晶基板是硅单晶。
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