[发明专利]锂二次电池用负极和使用其的锂二次电池及它们的制造方法有效
| 申请号: | 200680003187.4 | 申请日: | 2006-01-23 |
| 公开(公告)号: | CN101107746A | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
| 发明(设计)人: | 本田和义;小川裕子;古结康隆 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | H01M10/40 | 分类号: | H01M10/40;H01M4/04;H01M2/18;H01M4/38;H01M4/02;H01M4/66 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈建全 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 二次 电池 负极 使用 它们 制造 方法 | ||
1.一种锂二次电池用负极,其具有:
隔膜、
包含选自硅单质、硅合金、含有硅和氧的化合物、含有硅和氮的化合物、含有硅和氟的化合物、锡单质、锡合金、含有锡和氧的化合物、含有锡和氮的化合物和含有锡和氟的化合物中的至少一种,且固定在所述隔膜上的嵌入、脱嵌锂离子的负极活性物质层、和
在所述负极活性物质层的与所述隔膜的相反侧上形成的集电体层。
2.根据权利要求1所述的锂二次电池用负极,其中,所述负极活性物质层具有在与所述隔膜的相反侧开口的沟部。
3.根据权利要求1或2所述的锂二次电池用负极,其中,所述集电体层包含含有选自铜和镍中的至少任一种的金属集电体层。
4.根据权利要求3所述的锂二次电池用负极,其中,所述集电体层还包含含有碳的碳集电体层。
5.根据权利要求4所述的锂二次电池用负极,其中,所述金属集电体层设置在所述负极活性物质层上,所述碳集电体层设置在所述金属集电体层上。
6.根据权利要求4的锂二次电池用负极,其中,所述碳集电体层设置在所述负极活性物质层上,所述金属集电体层设置在所述碳集电体层上。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的锂二次电池用负极,其中,所述隔膜是具有微孔的微多孔膜。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的锂二次电池用负极,其中,所述隔膜在固定有所述负极活性物质的面上形成耐热温度为200℃以上的耐热层。
9.一种锂二次电池,其具有权利要求1~8中任一项所述的锂二次电池用负极;可逆地嵌入、脱嵌锂离子的正极;和至少包含在所述隔膜中且传导锂离子的电解质。
10.一种锂二次电池用负极的制造方法,其包括:(A)通过气相法在隔膜上形成负极活性物质层的步骤,其中,所述负极活性物质层包含选自硅单质、硅合金、含有硅和氧的化合物、含有硅和氮的化合物、含有硅和氟的化合物、锡单质、锡合金、含有锡和氧的化合物、含有锡和氮的化合物和含有锡和氟的化合物中的至少一种,且嵌入、脱嵌锂离子;和
(B)通过气相法在所述负极活性物质层上形成集电体层的步骤。
11.根据权利要求10所述的锂二次电池用负极的制造方法,其中,在所述B步骤中,形成含有铜和镍中的至少任一种的金属集电体层、和含有碳的碳集电体层之中的至少任意一个。
12.根据权利要求10或11所述的锂二次电池用负极的制造方法,其中,在所述A步骤后,还包括将所述隔膜拉伸的步骤。
13.一种锂二次电池的制造方法,其包括:
(A)通过气相法在隔膜上形成负极活性物质层的步骤,其中,所述负极活性物质层包含选自硅单质、硅合金、含有硅和氧的化合物、含有硅和氮的化合物、含有硅和氟的化合物、锡单质、锡合金、含有锡和氧的化合物、含有锡和氮的化合物和含有锡和氟的化合物中的至少一种,且嵌入、脱嵌锂离子、
(B)通过气相法在所述负极活性物质层上形成集电体层的步骤、
(C)在所述隔膜的与所述负极活性物质层的相反侧,设置嵌入、脱嵌锂离子的正极的步骤、和
(D)至少在所述隔膜中含浸锂离子传导性的电解质的步骤。
14.根据权利要求13所述的锂二次电池的制造方法,其中,在所述B步骤中,形成含有铜和镍中的至少任一种的金属集电体层、和含有碳的碳集电体层之中的至少任意一个。
15.根据权利要求13或14所述的锂二次电池的制造方法,其中,在所述A步骤后,还包括将所述隔膜拉伸的步骤。
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