[实用新型]光能波半导体晶片构造无效
| 申请号： | 200620043133.8 | 申请日： | 2006-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN200962431Y | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 黄定宗 | 申请（专利权）人： | 黄定宗 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L41/09;H01L37/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 吴林松 |
| 地址： | 台湾省彰化县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光能 半导体 晶片 构造 | ||
【权利要求书】：
1、一种光能波半导体晶片构造，其特征在于：是包含有：
一基材，是可供发热的低膨胀系数材料任一或混合所预先成型的元件；
一披覆材，是均匀披覆或喷附于基材表面的导电材料，使基材具有半导电性。
2、如权利要求1所述的光能波半导体晶片构造，其特征在于：其中该披覆材的披覆厚度在3μ～300μmm间。
3、如权利要求1所述的光能波半导体晶片构造，其特征在于：所述的基材为铝合金材料。
4、如权利要求1所述的光能波半导体晶片构造，其特征在于：所述的基材为珐琅质材料。
5、如权利要求1所述的光能波半导体晶片构造，其特征在于：所述的基材为钛合金材料。
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