[实用新型]一种热保护塑壳断路器无效

专利信息
申请号: 200620042914.5 申请日: 2006-06-20
公开(公告)号: CN200976488Y 公开(公告)日: 2007-11-14
发明(设计)人: 胡正业;朱曙 申请(专利权)人: 上海精益电器厂有限公司
主分类号: H02H5/04 分类号: H02H5/04
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 代理人: 赵志远
地址: 20005*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 保护 断路器
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及断路器,尤其涉及一种热保护塑壳断路器。

背景技术

塑壳断路器是配电系统中的重要电器。线路和设备如果过载,造成过电流就会使导线发热,绝缘烧坏,以致于短路。因此,塑壳断路器应具有的主要保护是过电流保护。目前使用的过电流保护,大部分利用过电流造成热元件发热,双金属片受热变形使断路器脱扣跳闸。也有使用电子脱扣器的,电子脱扣器是用电流互感器感应电流信号,送至微处理器,微处理器采样,进行数字处理再与设定值比较,如果判断为过电流,则发出信号,驱动脱扣器跳闸。

双金属片受热变形的方法性能较差,参数不易调节,一致性差,热元件的发热,增加了内部温升,更无法与总线通讯。

电子脱扣器的方法由于装有电流互感器,增加了体积和重量;为了避免谐波和各种干扰,必须计算电流的真有效值,对微处理器要求较高,成本较高;而且,通过电流计算导线发热,忽略了环境温度的影响,存在一定偏差。

发明内容

本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种热保护塑壳断路器。

本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现:一种热保护塑壳断路器,其特征在于,该断路器包括温度传感器SA、SB、SC,微处理器IC2,可控硅SCR,脱扣器TR,小开关WK,桥式整流器ZD,片式开关源IC1,半导体金属氧化物管(MOS管)T0,电源滤波器L0、C1、C2,发光二极管;所述的温度传感器SA、SB、SC连接到微处理器IC2;所述的微处理器IC2连接到可控硅SCR;所述的可控硅SCR连接到脱扣器TR。

所述的温度传感器SA、SB、SC直接贴附在断路器内的三相导体上。

所述的微处理器IC2判断为超温,则发出信号,可控硅SCR导通,脱扣器TR跳闸。

所述的桥式整流器ZD整流电源信号后,送片式开关电源IC1和MOS管T0,向微处理器IC2、温度传感器SA、SB、SC提供电源。

与现有技术相比,本实用新型采用温度传感器直接测量温度,包括了环境温度的影响,对保护线路和设备过热损坏,更直接更有效,不易受干扰,控制线路简单,计算简单,成本低,工作可靠,具有独创性。

附图说明

图1为本实用新型的电路结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明。

如图1所示,一种热保护塑壳断路器,该断路器包括温度传感器SA、SB、SC,微处理器IC2,可控硅SCR,脱扣器TR,小开关WK,桥式整流器ZD,片式开关源IC1,半导体金属氧化物管(MOS管)T0,电源滤波器L0、C1、C2,发光二极管。所述的温度传感器SA、SB、SC直接贴附在断路器内的三相导体上,当电流流过产生温升后,将温度QA、QB、QC转变为电压信号;所述的微处理器IC2将输入的电压信号采样,进行数字处理再与设定值进行比较;所述的微处理器IC2判断为超温,则发出信号,可控硅SCR导通,脱扣器TR跳闸;所述的微处理器IC2在严重过载及短路时,计算温度的变化率dθ/dt,dθ/dt大于设定值,发出跳闸信号,脱扣器TR跳闸;所述的小开关WK设定跳闸温度、超温变化率;所述的桥式整流器ZD整流电源信号后,送片式开关电源IC1和MOS管T0,向微处理器IC2、温度传感器SA、SB、SC提供5V电源;所述的发光二极管指示工作状态;电感L0、电容C1、C2组成抗干扰电源滤波器;采用的温度传感器工作温度为-50℃~+150℃,具有足够余量。

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