[发明专利]等离子体显示面板和用于其的基板结构体的制造方法无效
| 申请号: | 200610169995.X | 申请日: | 2006-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN101131904A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
| 发明(设计)人: | 三泽智也;笠原滋雄 | 申请(专利权)人: | 富士通日立等离子显示器股份有限公司 |
| 主分类号: | H01J9/00 | 分类号: | H01J9/00;H01J17/02;H01J17/49;H01J11/00 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 等离子体 显示 面板 用于 板结 制造 方法 | ||
1.一种等离子体显示面板用基板结构体的制造方法,其特征在于:
包括在覆盖形成在基板上的显示电极的电介质层之上,涂敷分散介质中分散有大量氧化镁晶体的悬浊液,然后使所述分散介质蒸发,由此在所述电介质层上形成氧化镁晶体层的工序,
其中,所述电介质层的表面均匀分布有可捕捉所述氧化镁晶体的凹凸结构。
2.如权利要求1所述的等离子体显示面板用基板结构体的制造方法,其特征在于:
所述电介质层具有覆盖显示电极的下层电介质层、和覆盖下层电介质层的氧化镁层。
3.如权利要求1所述的等离子体显示面板用基板结构体的制造方法,其特征在于:
所述氧化镁晶体根据式1求得的平均粒径为0.05~20μm,
式1:平均粒径=a/(S×ρ)
其中,a为形状系数,为6,S为根据氮吸附法求得的BET比表面积,ρ为氧化镁的真密度。
4.如权利要求1所述的等离子体显示面板用基板结构体的制造方法,其特征在于:
所述凹凸结构为由JIS B0601所定义的、十点平均粗糙度Rz为0.1~2μm、凹凸的平均间隔Sm为0.2~40μm。
5.如权利要求1所述的等离子体显示面板用基板结构体的制造方法,其特征在于:
通过对所述电介质层的表面实施喷砂或研磨而形成所述凹凸结构。
6.如权利要求1所述的等离子体显示面板用基板结构体的制造方法,其特征在于:
通过在形成有所述显示电极的所述基板上涂敷糊状物并烧结所涂敷的糊状物的工序,形成所述介电体层,由此形成所述凹凸结构,所述糊状物包含低熔点玻璃和熔点高于所述低熔点玻璃的颗粒,所述烧结在所述低熔点玻璃熔融且所述颗粒不熔融的温度下进行。
7.如权利要求1所述的等离子体显示面板用基板结构体的制造方法,其特征在于:
通过在形成有所述显示电极的所述基板上涂敷糊状物并在所涂敷的糊状物上散布颗粒,共同烧结所述糊状物和所述颗粒的工序,形成所述介电体层,由此形成所述凹凸结构,所述糊状物包含低熔点玻璃,所述颗粒与所述低熔点玻璃相比熔点高,所述烧结在所述低熔点玻璃熔融且所述颗粒不熔融的温度下进行。
8.如权利要求1所述的等离子体显示面板用基板结构体的制造方法,其特征在于:
所述氧化镁晶体通过包括镁蒸气与氧的反应的气相法形成。
9.一种等离子体显示面板,其特征在于:
前面侧配置有按照权利要求1所述的方法制造的等离子体显示面板用基板结构体,背面侧配置有与所述显示电极正交的方向上的地址电极形成在基板上的等离子体显示面板用基板结构体,在这些两基板结构体之间形成利用显示电极和地址电极的交点确定的多个放电单元。
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