[发明专利]非易失性存储器件无效
| 申请号： | 200610167853.X | 申请日： | 2006-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101097923A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 朴熙植 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 | ||
1.一种非易失性存储器件，包括：
在包括源极选择线、漏极选择线和字线的半导体衬底上方的多个存储单元；
在所述存储单元上形成的绝缘层；
在所述绝缘层的字线区上形成的沟道升压电容器，其中所述沟道升压电容器通过下电极、电介质层和上电极而形成；以及
用于通过所述绝缘层，将所述沟道升压电容器的所述上电极与所述源极选择线和所述字线之间的所述半导体衬底相连的插塞。
2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述沟道升压电容器的所述下电极与接地端子相连。
3.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述绝缘层包括氧化物层或氮化物层。
4.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述下电极和上电极包括多晶硅。
5.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述插塞包括多晶硅。
6.一种非易失性存储器件，包括：
在包括源极选择线、漏极选择线和字线的半导体衬底上方的多个存储单元；
在所述存储单元上形成的绝缘层；
在所述绝缘层的字线区上形成的沟道升压电容器，其中所述沟道升压电容器通过下电极、电介质层和上电极而形成；以及
用于通过所述绝缘层，将所述沟道升压电容器的所述上电极与所述漏极选择线和所述字线之间的所述半导体衬底相连的插塞。
7.如权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述沟道升压电容器的下电极与接地端子相连。
8.如权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述绝缘层包括氧化物层或氮化物层。
9.如权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述下电极和上电极包括多晶硅。
10.如权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述插塞包括多晶硅。
11.一种非易失性存储器件，包括：
在包括源极选择线、漏极选择线和字线的半导体衬底上方的多个存储单元；
在所述存储单元上形成的绝缘层；
在所述绝缘层的字线区上形成的沟道升压电容器，其中所述沟道升压电容器通过下电极、电介质层和上电极而形成；
用于通过所述绝缘层，将所述沟道升压电容器的所述上电极与所述源极选择线和所述字线之间的所述半导体衬底相连的第一插塞；以及
用于通过所述绝缘层，将所述沟道升压电容器的所述上电极与所述漏极选择线和所述字线之间的所述半导体衬底相连的第二插塞。
12.如权利要求11所述的非易失性存储器件，其中所述沟道升压电容器的下电极与接地端子相连。
13.如权利要求11所述的非易失性存储器件，其中所述绝缘层包括氧化物层或氮化物层。
14.如权利要求11所述的非易失性存储器件，其中所述下电极和上电极包括多晶硅。
15.如权利要求11所述的非易失性存储器件，其中所述第一插塞和第二插塞包括多晶硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
