[发明专利]沉浸式光刻系统的投影系统无效
| 申请号： | 200610148822.X | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101211121A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 陈国庆;肖德元;邢溯;杨勇胜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉浸 光刻 系统 投影 | ||
1.一种沉浸式光刻系统的投影系统，包括：
投影透镜，用于把掩模版的图形按比例缩小投影到半导体衬底上的高分子聚合物层；
液体池，位于投影透镜的曝光场中，作为投影透镜的曝光媒介；
液体供给装置，位于投影透镜的两侧，用于提供液体池；
气液体喷淋装置，位于液体供给装置的外围，用于形成气体帘限制液体池的液体外流；
衬底传送装置，位于气液体喷淋装置、液体供给装置以及液体供给装置产生的液体池下，用于装载和传送半导体衬底，所述衬底传送装置上的半导体衬底上形成有高分子聚合物层；
其特征在于，所述气液体喷淋装置包括输入载流气体的第一输入端、输入异丙醇的第二输入端及输出来自第一输入端的载流气体和来自第二输入端的异丙醇的混合气液体的输出端，所述载流气体为氮气或者惰性气体。
2.根据权利要求1所述的沉浸式光刻系统的投影系统，其特征在于：所述载流气体的流速为10至100升/分钟。
3.根据权利要求2所述的沉浸式光刻系统的投影系统，其特征在于：所述异丙醇的流速为0.1至1.0升/分钟。
4.根据权利要求1所述的沉浸式光刻系统的投影系统，其特征在于：所述投影透镜在半导体衬底上进行扫描通过移动衬底传送装置实现，所述衬底传送装置移动的速度为500至1000毫米/秒。
5.根据权利要求1所述的沉浸式光刻系统的投影系统，其特征在于：所述投影透镜与衬底传送装置之间的距离为0.01至10mm。
6.根据权利要求1所述的沉浸式光刻系统的投影系统，其特征在于：所述高分子聚合物层为光刻胶、苯丙环丁烯、聚酰亚胺、聚四氟乙烯。
7.根据权利要求6所述的沉浸式光刻系统的投影系统，其特征在于：所述高分子层为光刻胶。
8.根据权利要求1所述的沉浸式光刻系统的投影系统，其特征在于：所述液体供给装置提供的液体为水。
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