[发明专利]抗反射层的形成方法及其用于制造双镶嵌结构的方法有效
| 申请号： | 200610147811.X | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101207018A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 杨光宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/31;H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反射层 形成 方法 及其 用于 制造 镶嵌 结构 | ||
1.一种抗反射层的形成方法，包括：
提供一半导体基底；
向所述半导体基底喷出抗反射材料，并使所述半导体基底以第一速率旋转；
使所述半导体基底以大于所述第一速率的第二速率旋转；
使所述半导体基底以小于所述第二速率的第三速率旋转；
使所述半导体基底以大于所述第三速率且小于第二速率的第四速率旋转；
停止向所述半导体基底喷出抗反射材料；
使所述半导体基底以大于所述第四速率且小于第二速率的第五速率旋转。
2.如权利要求1所述的抗反射层的形成方法，其特征在于，该方法进一步包括：在向所述半导体基底喷出抗反射材料之前使所述半导体基底旋转。
3.如权利要求2所述的抗反射层的形成方法，其特征在于：所述半导体基底旋转的速率为800至1500rpm，时间为0.1至1s。
4.如权利要求1所述的抗反射层的形成方法，其特征在于：所述第一速率为50至300rpm。
5.如权利要求1所述的抗反射层的形成方法，其特征在于：所述第二速率为1500至4000rpm。
6.如权利要求1所述的抗反射层的形成方法，其特征在于：所述第三速率为50至300rpm。
7.如权利要求1所述的抗反射层的形成方法，其特征在于：所述第四速率为350至700rpm。
8.如权利要求1所述的抗反射层的形成方法，其特征在于：所述第五速率为700至1000rpm。
9.如权利要求8所述的抗反射层的形成方法，其特征在于：所述半导体基底以所述第五速率旋转的时间为15至40s。
10.如权利要求1所述的抗反射层的形成方法，其特征在于：该方法进一步包括对所述半导体基底上的抗反射材料进行烘烤的步骤。
11.一种应用权利要求1所述的方法制造双镶嵌结构的方法，包括：
提供一具有介质层的半导体基底，在所述介质层中形成有第一开口；
向所述介质层表面喷出抗反射材料，并使所述半导体基底以第一速率旋转；
使所述半导体基底以大于所述第一速率的第二速率旋转；
使所述半导体基底以小于所述第二速率的第三速率旋转；
使所述半导体基底以大于所述第三速率且小于第二速率的第四速率旋转；
停止向所述介质层表面喷出抗反射材料；
使所述半导体基底以大于所述第四速率且小于第二速率的第五速率旋转；
停止使所述半导体基底旋转；
在所述抗反射材料上旋涂光刻胶层并图形化形成第二开口图案；
通过刻蚀将所述第二开口图案转移到所述介质层中，形成第二开口。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述介质层为低介电常数材料。
13.如权利要求11述的方法，其特征在于：所述第一速率为50至300rpm。
14.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述第二速率为1500至4000rpm。
15.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述第三速率为50至300rpm。
16.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述第四速率为350至700rpm。
17.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述第五速率为700至1000rpm。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于：所述半导体基底以所述第五速率旋转的时间为15至40s。
19.如权利要求11所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括对所述半导体基底上的抗反射材料进行烘烤的工艺。
20.如权利要求11所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括在所述抗反射材料上形成牺牲层的步骤。
21.如权利要求20所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括在所述牺牲层上形成低温氧化层的步骤。
22.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述第一开口为连接孔，第二开口为沟槽。
23.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述第一开口为沟槽，第二开口为连接孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
