[发明专利]等离子体处理装置和高频电力供给装置有效
| 申请号: | 200610121598.5 | 申请日: | 2004-02-12 |
| 公开(公告)号: | CN101064987A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
| 发明(设计)人: | 速水利泰;岩崎征英;高平淳一;渡部一良;小松真一;佐佐木雄一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社;新电元工业株式会社 |
| 主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46;H01L21/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 高频 电力 供给 | ||
1.一种等离子体处理装置,包括:
处理容器,其内部可减压;
第1电极,配置在所述处理容器内,并且在其上载置被处理基板;
处理气体供给部件,用于将处理气体供给到所述处理容器内;
筒状支撑部,支撑所述第1电极;
空间部,基于所述筒状支撑部和所述第1电极而形成;以及
高频馈电部,配置在所述空间部,
并且,通过从所述高频馈电部传输到所述第1电极的、具有第1频率的第 1高频电力产生等离子体,并对所述被处理基板实施等离子体处理,
该等离子体处理装置的特征在于,
所述高频馈电部,包括:
第1高频电源部,输出所述第1高频电力;
第1匹配器,对所述第1频率获得阻抗的匹配;以及
传输线路,从所述第1高频电源部至所述第1匹配器传输所述第1高频电 力。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,
给所述第1电极传输所述第1高频电力及具有第2频率的第2高频电力,
所述高频馈电部包括:
第2匹配器,对所述第2频率获得阻抗的匹配。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述高频馈电部沿铅直方向具有三个框体,
所述三个框体中分别具有所述第1高频电源部、所述第1匹配器、所述第 2匹配器。
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述第1高频电源部包括:
第1高频电力发生部,输入直流电力并生成所述第1高频电力;以及
滤波器,选择性地通过来自所述第1高频电力发生部的所述第1高频电力。
5.如权利要求4所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述第1高频电源部还包括:
循环器,其在所述第1高频电力发生部和所述滤波器之间,使来自所述第 1高频电力发生部的行波通过,并且吸收来自所述第1匹配器的反射波。
6.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述传输线路由同轴管构成。
7.一种高频电力供给装置,其特征在于,
其被配置在权利要求1所述的等离子体处理装置的空间部。
8.如权利要求7所述的高频电力供给装置,其特征在于,
给所述第1电极传输所述第1高频电力及具有第2频率的第2高频电力,
该高频电力供给装置还包括:
第2匹配器,对所述第2频率获得阻抗的匹配。
9.如权利要求8所述的高频电力供给装置,其特征在于,
该高频电力供给装置沿铅直方向还具有三个框体,
所述三个框体中分别具有所述第1高频电源部、所述第1匹配器、所述第 2匹配器。
10.如权利要求7所述的高频电力供给装置,其特征在于,
所述第1高频电源部包括:
第1高频电力发生部,输入直流电力并生成所述第1高频电力;以及
滤波器,选择性地通过来自所述第1高频电力发生部的所述第1高频电力。
11.如权利要求10所述的高频电力供给装置,其特征在于,
所述第1高频电源部还包括:
循环器,其在所述第1高频电力发生部和所述滤波器之间,使来自所述第 1高频电力发生部的行波通过,并且吸收来自所述第1匹配器的反射波。
12.如权利要求7所述的高频电力供给装置,其特征在于,
所述传输线路由同轴管构成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社;新电元工业株式会社,未经东京毅力科创株式会社;新电元工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610121598.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光学轨迹球装置
- 下一篇:含有碱金属高氯酸盐的气体发生剂





