[发明专利]改良保护层的单面双记录层光碟片及其制造方法无效
| 申请号: | 200610121461.X | 申请日: | 2006-08-25 |
| 公开(公告)号: | CN101131836A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
| 发明(设计)人: | 林志峰 | 申请(专利权)人: | 巨擘科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24;G11B7/252;G11B7/26 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蔡洪贵 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 改良 保护层 单面 记录 碟片 及其 制造 方法 | ||
1.一种单面双记录层光碟片,包含:
一第一存取层,用以供一驱动装置存取该光碟片;
一第二存取层,用以供该驱动装置存取该光碟片,其包含:
一第二基板,具有一第二涂布表面;
一反射层,层叠于该第二涂布表面;以及
一第二记录层,层叠于该反射层;
一贴合层,用以将该第一存取层与该第二存取层贴合,其中该第二记录层相向于该第一存取层;以及
一保护层,层叠于该第二记录层与该贴合层之间,该保护层是由金属或硅所形成。
2.如权利要求1所述的单面双记录层光碟片,其特征在于,该保护层厚度小于20nm。
3.如权利要求1所述的单面双记录层光碟片,其特征在于,该保护层是由一贵金属或半导体材料所形成。
4.如权利要求3所述的单面双记录层光碟片,其特征在于,该贵金属为金、银、铂、钯、铑或铱。
5.如权利要求3所述的单面双记录层光碟片,其特征在于,该半导体材料为镓、铟或锗。
6.如权利要求1所述的单面双记录层光碟片,其特征在于,该保护层是由钼、钽、钛或钛合金所形成,该钛合金为铝钛或银钛。
7.如权利要求1所述的单面双记录层光碟片,其特征在于,该第一存取层包含:
一第一基板,具有一第一涂布表面;
一第一记录层,层叠于该第一涂布表面;以及
一半反射层,层叠于该第一记录层。
8.一种单面双记录层光碟片的制造方法,其步骤包含:
制备一第一存取层;
制备一第二存取层,其步骤包含:
提供一第二基板,其具有一第二涂布表面;
形成一反射层层叠于该第二涂布表面;以及
形成一第二记录层层叠于该反射层;
形成一保护层层叠于该第二记录层,该保护层是由金属或硅所形成;以及
贴合该第一存取层与该第二存取层,其中该第二记录层相向于该第一存取层。
9.如权利要求8所述的单面双记录层光碟片的制造方法,其特征在于,该保护层厚度小于20nm。
10.如权利要求8所述的单面双记录层光碟片的制造方法,其特征在于,该保护层是以直流溅镀或射频溅镀所形成。
11.如权利要求8所述的单面双记录层光碟片的制造方法,其特征在于,该保护层是由一贵金属或半导体材料所形成。
12.如权利要求11所述的单面双记录层光碟片的制造方法,其特征在于,该贵金属为金、银、铂、钯、铑或铱。
13.如权利要求11所述的单面双记录层光碟片的制造方法,其特征在于,该半导体材料为镓、铟或锗。
14.如权利要求8所述的单面双记录层光碟片的制造方法,其特征在于,该保护层是由钼、钽、钛或钛合金所形成,该钛合金为铝钛或银钛。
15.如权利要求8所述的单面双记录层光碟片的制造方法,其特征在于,制备该第一存取层之步骤包含:
提供一第一基板,其具有一第一涂布表面;
形成一第一记录层层叠于该第一涂布表面;以及
形成一半反射层层叠于该第一记录层。
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