[发明专利]硅基螺旋电感器件等效电路双∏非对称模型参数的提取方法有效

专利信息
申请号: 200610116241.8 申请日: 2006-09-20
公开(公告)号: CN101149761A 公开(公告)日: 2008-03-26
发明(设计)人: 姜楠;黄风义 申请(专利权)人: 爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203上海市张江高科技园区郭*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 螺旋 电感 器件 等效电路 对称 模型 参数 提取 方法
【权利要求书】:

1.一种硅基在片螺旋电感器件的等效电路模型参数的提取方法,本方法是通过测量的S-参数,根据非对称双∏等效电路模型,利用特征函数的解析法提取等效电路各元件参数值。

2.根据权利要求1所述的方法,把双∏非对称等效电路如图2看成两个单∏电路的组合。这两个单∏电路分别由Ys1和Ysub1,Ys2和Ysub2组成。Ys1由Rs1,Ls1,Cp1,R1,L1组成,Ysub1由Rsub1,Csub1,Cox1组成,Ys2由Rs2,Ls2,Cp2,R2,L2组成,Ysub2由Rsub2,Csub2,Cox2组成。

3.根据权利要求2所述的方法,‘Ys1,Ys2和Ysub1,Ysub2两部分的等效电路可以是非对称的。

4.根据权利1及其附属条件2和3所述方法,利用ABCD矩阵的转化,可将测试的S-参数转化为Ys1,Ys2,和Ysub1,Ysub2。A=A1×A2,其中,<mrow><msub><mi>A</mi><mn>1</mn></msub><mo>=</mo><mfenced open='[' close=']'><mtable><mtr><mtd><msub><mi>a</mi><mn>1</mn></msub></mtd><mtd><msub><mi>b</mi><mn>1</mn></msub></mtd></mtr><mtr><mtd><msub><mi>c</mi><mn>1</mn></msub></mtd><mtd><msub><mi>d</mi><mn>1</mn></msub></mtd></mtr></mtable></mfenced><mo>=</mo><mfenced open='[' close=']'><mtable><mtr><mtd><mo>-</mo><msubsup><mi>Y</mi><mn>22</mn><mn>1</mn></msubsup><mo>/</mo><msubsup><mi>Y</mi><mn>21</mn><mn>1</mn></msubsup></mtd><mtd><mo>-</mo><mn>1</mn><mo>/</mo><msubsup><mi>Y</mi><mn>21</mn><mn>1</mn></msubsup></mtd></mtr><mtr><mtd><mo>-</mo><mi>det</mi><msup><mi>Y</mi><mn>1</mn></msup><mo>/</mo><msubsup><mi>Y</mi><mn>21</mn><mn>1</mn></msubsup></mtd><mtd><mo>-</mo><msubsup><mi>Y</mi><mn>11</mn><mn>1</mn></msubsup><mo>/</mo><msubsup><mi>Y</mi><mn>21</mn><mn>1</mn></msubsup></mtd></mtr></mtable></mfenced><mo>,</mo></mrow>

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通过将S参数转换成ABCD矩阵从而求得A1,A2

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