[发明专利]减厚的多晶片堆叠封装构造无效
| 申请号： | 200610111541.7 | 申请日： | 2006-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101131991A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 林鸿村 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹县新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 堆叠 封装 构造 | ||
1.一种减厚的多晶片堆叠封装构造，其特征在于其包含：
一导线架的一间隔承座与复数个引脚；
一第一晶片，其具有一第一主动面与一第一背面，该第一主动面上形成有复数个第一电极，其电性连接至部分的该些引脚；
一第二晶片，其具有一第二主动面与一第二背面，该第二主动面上形成有复数个第二电极，其电性连接至部分的该些引脚；以及
一封胶体，用以结合该间隔承座、该些引脚、该第一晶片与该第二晶片；
其中，第一晶片的第一主动面是贴附于该间隔承座的下方，第二晶片的第二背面是贴附于该间隔承座的上方，并且该间隔承座是不遮盖至该第一晶片的该些第一电极。
2.根据权利要求1所述的减厚的多晶片堆叠封装构造，其特征在于其另包含有复数个第一焊线，以电性连接该第一晶片的该些第一电极与对应的引脚。
3.根据权利要求2所述的减厚的多晶片堆叠封装构造，其特征在于其中所述的该些第一焊线是为逆打线方式形成，以使该些第一焊线的弧高线段远离该第一晶片。
4.根据权利要求2所述的减厚的多晶片堆叠封装构造，其特征在于其中所述的间隔承座具有一厚度，以致使该些第一焊线不接触至该第二晶片的背面。
5.根据权利要求1所述的减厚的多晶片堆叠封装构造，其特征在于其中所述的间隔承座的尺寸是小于该第一晶片的该第一主动面。
6.根据权利要求1或5所述的减厚的多晶片堆叠封装构造，其特征在于其中所述的该些第一电极是形成于该第一主动面的侧边。
7.根据权利要求6所述的减厚的多晶片堆叠封装构造，其特征在于其中所述的间隔承座一体连接有复数个系条，其是延伸通过该第一主动面的角隅。
8.根据权利要求7所述的减厚的多晶片堆叠封装构造，其特征在于其中所述的该些系条是为无弯折，而使该间隔承座为无下沉型态。
9.根据权利要求1所述的减厚的多晶片堆叠封装构造，其特征在于其中所述的该些引脚的内端上表面形成有一电镀层。
10.根据权利要求1所述的减厚的多晶片堆叠封装构造，其特征在于其另包含一第一粘晶层与一第二粘晶层，用以分别粘接该第一晶片与该第二晶片，其中该第一粘晶层是局部覆盖该第一晶片的该第一主动面，该第二粘晶层是全面覆盖该第二晶片的该第二背面
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