[发明专利]光掩模、有源器件阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种有源器件阵列基板的制作方法，包括：

提供基板；

于该基板上形成第一图案化导电层；

于该基板上依序形成第一介电层以及半导体层，以覆盖住该第一图案化导电层；

图案化该半导体层以及该第一介电层，以同时形成多个沟道层以及具有多个第一接触窗的栅绝缘层；

于该栅绝缘层上形成第二图案化导电层，其中部分该第二图案化导电层覆盖于该多个沟道层上，且部分该第二图案化导电层透过该多个第一接触窗与部分该第一图案化导电层电性连接；

于该栅绝缘层上形成具有多个第二接触窗的保护层，以覆盖于该多个沟道层及该第二图案化导电层上；以及

于该保护层上形成多个与该第二图案化导电层电性连接的像素电极。

2.如权利要求1的有源器件阵列基板的制作方法，更包括于该半导体层上形成第一图案化光刻胶层，其中该第一图案化光刻胶层包括具有多个第一开口的主体以及多个位于该主体上的凸起部。

3.如权利要求2的有源器件阵列基板的制作方法，其中该第一图案化光刻胶层的形成方法包括：

于该半导体层上全面性形成光刻胶材料层；

以第一光掩模为屏蔽，对该光刻胶材料层进行曝光，其中该第一光掩模具有对应于该多个第一开口的透光区、对应于该多个凸起部的遮光区以及半透光区；以及

对该光刻胶材料层进行显影。

4.如权利要求2的有源器件阵列基板的制作方法，其中该第一图案化光刻胶层的形成方法包括：

于该半导体层上全面性形成光刻胶材料层；

提供第一光掩模以及第二光掩模，其中该第一光掩模具有对应于该多个第一开口的第一透光区以及第一遮光区，且该第二光掩模具有第二透光区以及对应于该多个沟道层的第二遮光区；

分别以该第一光掩模以及该第二光掩模为屏蔽，对该光刻胶材料层进行曝光，其中以该第二光掩模为屏蔽进行曝光的曝光量小于以该第一光掩模为屏蔽进行曝光的曝光量；以及

对该光刻胶材料层进行显影。

5.如权利要求2的有源器件阵列基板的制作方法，其中图案化该半导体层以及该第一介电层的方法包括：

以该第一图案化光刻胶层为屏蔽，图案化该半导体层以及该第一介电层，以形成该栅绝缘层；

移除部分该第一图案化光刻胶层，以形成暴露出部分该半导体层的第二图案化光刻胶层；

以该第二图案化光刻胶层为屏蔽，图案化该半导体层，以于该栅绝缘层上形成多个沟道层，其中该多个凸起部位于该多个沟道层上方；以及

移除该第二图案化光刻胶层。

6.如权利要求5的有源器件阵列基板的制作方法，其中移除部分该第一图案化光刻胶层的方法包括等离子灰化。

7.如权利要求2的有源器件阵列基板的制作方法，其中图案化该半导体层以及该第一介电层的方法包括：

以该第一图案化光刻胶层为屏蔽，图案化该半导体层，以于该半导体层中形成多个对应于该多个第一开口的第二开口；

移除部分该第一图案化光刻胶层，以形成暴露出部分该半导体层的第二图案化光刻胶层；

以该第二图案化光刻胶层为屏蔽，图案化该半导体层以及该第一介电层，以同时形成该多个沟道层与该栅绝缘层，其中该多个凸起部位于该多个沟道层上方；以及

移除该第二图案化光刻胶层。

8.如权利要求7的有源器件阵列基板的制作方法，其中移除部分该第一图案化光刻胶层的方法包括等离子灰化。