[发明专利]非挥发性记忆胞结构以及操作方法

权利要求书

1.一种非挥发性记忆胞，其特征在于其包括：

一基底

一连续掺杂区位于该基底中，其中该连续掺杂区具有一导电型，且由该基底的一上表面向该基底的一底部延伸，而该基底的导电型与该连续掺杂区的导电型不同；以及

一闸极结构位于该基底上，并交叉横跨该连续掺杂区，其中该闸极结构包括位于该基底的该连续掺杂区上的一多重载子储存单元以及于该多重载子储存单元上的一闸极，并且该多重载子储存单元仅位于该闸极的正下方，而该多重载子储存单元包括至少两载子储存位置，包括一第一载子储存位置与一第二载子储存位置，该第一载子储存位置与该第二载子储存位置分别位于该多重载子储存单元邻近该连续掺杂区的两侧，其中该基底上方没有埋入式扩散氧化层结构，且该闸极结构中具有完整的该多重载子储存单元。

2.根据权利要求1所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中在该非挥发性记忆胞进行一程式化操作的期间，该连续掺杂区还包括一第一反转区位于该闸极结构所覆盖的部份该连续掺杂区。

3.根据权利要求2所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该第一反转区的导电型与该连续掺杂区的导电型不同。

4.根据权利要求1所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中在该非挥发性记忆胞进行一读取操作的期间：

当该非挥发性记忆胞的该第一多重载子储存位置储存至少一载子时，该连续掺杂区还包括一第二反转区位于该第一载子储存位置以外的该闸极结构所覆盖的部份该连续掺杂区；

当该非挥发性记忆胞的该多重载子储存单元未储存任何载子时，该连续掺杂区还包括一第三反转区位于该闸极结构所覆盖的部份该连续掺杂区。

5.根据权利要求4所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该第二反转区与该第三反转区的导电性相同，而该第二反转区与该第三反转区的导电型与该连续掺杂区的导电型不同。

6.根据权利要求1所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中在该非挥发性记忆胞进行一抹除化操作的期间，该连续掺杂区具有一第四反转区位于该闸极结构所覆盖的部分该连续掺杂区。

7.根据权利要求6所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该第四反转区与该连续掺杂区的导电型不同。

8.根据权利要求1所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该连续掺杂区的厚度包括200埃。 

9.根据权利要求1所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该多重载子储存单元包括一氧化硅/氮化硅/氧化硅层。

10.根据权利要求1所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中每一四倍特征尺寸平方单位中，具有至少一个该非挥发性记忆胞。

11.根据权利要求1所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该闸极结构的一闸极宽不大于一特征尺寸。

12.一种混合型非挥发性记忆胞阵列，其特征在于其包含复数个混合型记忆胞，包括：

一基底具有一第一导电型，该基底中有至少两相互平行的掺杂区包括相邻的一第一掺杂区与一第二掺杂区，其中该第一掺杂区与该第二掺杂区由该基底的一上表面向该基底的一底部延伸，且该第一掺杂区与该第二掺杂区具有一第二导电型；以及

至少一闸极结构，位于该基底上并横跨该些掺杂区，并具有复数个载子储存位置，其中该闸极结构、该第一掺杂区与该第二掺杂区共同组成一混合型记忆胞，且该混合型记忆胞包括：

一加强型记忆胞，由该闸极结构与该闸极结构所覆盖的部分该第一掺杂区与部分该第二掺杂区所组成；以及

一空乏型记忆胞，由该第一掺杂区与该闸极结构组成。

13.根据权利要求12所述的混合型非挥发性记忆胞阵列，其特征在于其中在该空乏型记忆胞进行一程式化操作过程中，该第一掺杂区具有一第一反转区位于该闸极结构所覆盖的部分该第一掺杂区中，且该第一反转区与该第一掺杂区的导电型不同。