[发明专利]可切换检测与驱动功能的显示器模组电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种模组电路，尤指一种可切换检测与驱动功能的显示器模组电路。

背景技术

液晶显示器与传统映像管(CRT)相比具有低电压驱动、微功耗、显示容量大、低辐射及轻薄等特性，所以被广泛的应用于各种影音设备及通讯设备中。该液晶显示器的集成电路的封装方式亦由早期的芯片直接封装(Chip on Board，COB)、卷带式封装(TapeCarrier Bonding，TAB)发展到如今的内引脚制程(Inner LeadBonding，ILB)的玻璃覆晶(Chip on Glass，COG)、薄膜覆晶(Chipon Film，COF)等封装方式。

请参阅图1，是一种玻璃覆晶结构的示意图。以玻璃覆晶为例，该玻璃覆晶结构包括集成电路(IC)11、异向导电膜12及玻璃基板13。该集成电路11上具有多个金凸块(gold bump)111，且对应这些金凸块111于该基板13上具有多个ITO电极131，该异向导电膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)12由黏合剂(binder)121及位于其中的导电粒子(conductive particles)122组成，以供集成电路11的各金凸块111通过导电粒子122，而与该玻璃基板13相对的各ITO电极131相互电连接。

然而液晶显示器朝向高分辨率的显示运用，而使集成电路11的引脚(pin)数越来越多，以形成集成电路11上电路的集积度愈来愈高，同时这些金凸块111的数目也越来越多。

因此，一般业界为能减少各金凸块111间距所占的空间，而除了改善这些电连接线的布局外，另一方面就是缩小各个金凸块111间的间距。但是，为能缩小各个金凸块111间的间距，而在制程上存在有如下的缺点：

该集成电路11的金凸块111结构是电镀于铝电极112以及保护层113的表面，且由于保护层113与铝电极112层迭部位的厚度大于铝电极112中央没有保护层113部份的厚度，而使产生约为1.2～2μm的高度差，因此在电镀金凸块111的过程中，金凸块111会复制整个形体的高度差，导致金凸块111中央处的表面会形成深度约2μm的凹槽。

而常用的异向导电膜12的导电粒子122约3.5～5um，因此当各个金凸块111间的间距缩小时，由于接触面积减少，而会降低金凸块111与导电粒子122的接触数量，且容易造成相邻电极因为导电粒子122的接触，而产生短路的现象。

因此，各金凸块111间距微小化，必须搭配较小的导通粒子，如2～3um以下的导电粒子122，而这些粒子在该集成电路11的金凸块111与该玻璃基板13的ITO电极131电性连结时，容易埋入容置于这些金凸块111的凹槽中，而无法有效导通金凸块111及其相对的ITO电极131，导致降低导通面积，影响构装后显示器模组的电性连结。

为能察觉上述的缺点，而避免产品的信赖度下降的问题，一般会利用检测方式，将电性不良的产品检测出，请参阅图2，传统量测电回路阻抗的用法，大多采用三用电表配合设计单一回路量测，该量测回路包含ITO走线的电阻R_ITO-L及ITO电极131的薄膜电阻R_ITO、导电粒子122的电阻R_ACF、金凸块111的电阻R_G、铝电极112的电阻R_Al及铝走线的电阻R_Al-L，总阻抗值R_total＝R_ITO-L+R_ITO+R_ACF+R_G+R_Al+R_Al-L+R_Al+R_G+R_ACF+R_ITO+R_ITO-L(如图3所示)。所以，三用电表回路的量测方式会导致量测的阻值纳入上述ITO走线电阻R_ITO-L及铝走线电阻R_Al-L，与要观察的界面电阻R_Al+R_G+R_ACF+R_ITO(如图4所示)并不相同。因此单一回路的阻抗值并不能够代表构装接口导通阻抗的优劣，为能够明确的测出垂直截面的构装阻抗值，必须采用四端子量测法。