[发明专利]晶片结构无效
| 申请号: | 200610086440.9 | 申请日: | 2006-06-21 |
| 公开(公告)号: | CN101093819A | 公开(公告)日: | 2007-12-26 |
| 发明(设计)人: | 薛仁豪;郭丰荣;周文彬;刘湘怡 | 申请(专利权)人: | 联咏科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶片 结构 | ||
技术领域
本发明是有关于一种半导体结构,且特别是有关于一种晶片结构。
背景技术
近年来,随着显示器要求的显示资料量大幅增加,用以驱动面板的驱动晶片(driver IC)必须具备有高输入/输出端(I/O)的条件。此外,驱动晶片的设计必须考量液晶显示器的尺寸须求,所以驱动液晶面板(liquidcrystal panel)的驱动晶片通常设计成长条型,以使得配置于驱动晶片边缘的输入/输出端的数量能够提升,并可同时兼顾液晶显示器的尺寸须求。现行液晶显示器的驱动晶片大都以晶粒-玻璃接合技术(Chip On Glass,COG)、晶粒-软膜接合技术(Chip On Film,COF)或卷带自动接合技术(TapeAutomated Bonding,TAB)等方式与液晶面板接合。
图1A绘示为习知的一种晶片结构的上视图,图1B绘示为图1A的晶片结构沿A-A’剖面线的示意图。请同时参考图1A与图1B,习知的晶片结构100包括一晶片110、位于晶片110的主动表面112上的多个焊垫120以及多个凸块130,其中凸块130是配置于所对应的焊垫120上。习知技术会应用配置于测试机台内的探针卡(Probe Card)来对晶片结构100进行电性测试(探针卡的探针会与晶片结构100中的凸块130接触,以进行电性测试),其中凸块130的宽度(bump width)W符合探针的侦测规格,使得探针针头可以有效地与凸块宽度为W的凸块130接触以进行电性测试。此外,由于焊垫120是采用单排的排列方式以配置于晶片110侧边,因此晶片结构100的尺寸依据焊垫120的数量以及凸块节距(bump pitch)的大小而有所不同(晶片结构100的凸块节距P1=凸块宽度W+凸块间距S)。
为使晶片结构100有较小的尺寸,习知技术缩小凸块130的宽度以减少凸块节距。然而,在利用探针卡来对晶片结构100进行电性测试的过程中,由于凸块宽度缩小,进而导致探针的针头直径会大于凸块宽度,因此探针在对晶片结构100进行测试时,探针不易与凸块130对位,而容易有对位偏差或是接触不良(例如是探针同时与两相邻的凸块接触)的情况发生。
发明内容
本发明的目的是提供一种晶片结构,以使晶片有较小的尺寸,并可兼顾晶片结构的电性测试问题。
为达上述或是其他目的,本发明提出一种晶片结构,包括一晶片、至少一侧边焊垫排列以及多个凸块,其中晶片具有一主动表面,而侧边焊垫排列配置于主动表面,且靠近主动表面的一侧边。此侧边焊垫排列包括多个焊垫,且这些焊垫沿着侧边的延伸方向等距排列。凸块则是配置于焊垫上,且这些凸块同样沿着侧边的延伸方向等距排列。其中,每一个凸块包括一第一部份及一第二部份,第二部份沿一轴线与第一部分连接,而轴线与侧边的延伸方向垂直。此外,第一部分在侧边的延伸方向的宽度大于第二部分在侧边的延伸方向的宽度,且凸块的第二部份介于与此凸块相邻的二凸块其第一部份之间。
在本发明的一实施例中,晶片结构更包括一保护层,其中保护层具有多个开口,以暴露出这些焊垫。
在本发明的一实施例中,上述开口的形状与凸块的形状相同。
在本发明的一实施例中,上述的凸块为金凸块。
在本发明的一实施例中,上述的第一部份与第二部份的形状为矩形。
在本发明的一实施例中,上述的第一部分在轴线方向上的长度小于第二部分在轴线方向上的长度。
在本发明的一实施例中,上述的第一部分在轴线方向上的长度等于第二部分在轴线方向上的长度。
在本发明的一实施例中,上述的第一部分在轴线方向上的长度大于第二部分在轴线方向上的长度。
在本发明的一实施例中,上述的焊垫是沿着侧边的延伸方向等距排列。
在本发明的晶片结构中,由于凸块的第一部分在侧边的延伸方向的宽度大于凸块的第二部分在侧边的延伸方向的宽度,且凸块的第二部份介于与此凸块相邻的二凸块其第一部份之间。因此,相较于习知技术,本发明的晶片结构有较小的凸块节距,进而使晶片结构有较小的尺寸。此外,第一部分的凸块宽度符合探针的电性测试尺寸,因此探针卡中的探针可以有效地与凸块接触以进行电性测试。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。
附图说明
图1A绘示为习知的一种晶片结构的上视图。
图1B绘示为图1A的晶片结构沿A-A’剖面线的示意图。
图2A绘示为本发明较佳实施例的一种晶片结构的上视图。
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