[发明专利]具有不对称晶边轮廓的晶片及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有不对称晶边轮廓的晶片及其制作方法，尤指一种具有低应力的晶片及其制作方法。

背景技术

晶片为制作超大集成电路(ULSI)元件的基础，而随着长晶技术的提升，晶片的直径已从早期的25毫米(mm)成长到现行的300毫米(12英寸)。晶片的制作过程包含有下列几个主要步骤。首先备制出高纯度的液态半导体原料，例如硅。接着利用晶种(seed)通过拉晶(pooling)生成圆柱状的晶棒(ingot)。随后再进行切片(slicing)将晶棒切割成碟状的晶片。

由于晶片在后续工艺中利用晶舟(cassette)加以存放，并通过机械手臂(robot)夹固而在各工艺单元之间传输，因此晶片的边缘区域若为垂直于其第一主表面(正面)与第二主表面(背面)，则晶片容易卡在晶舟内或是由于机械手臂的夹固而受损。此外，晶片的垂直晶边在后续工艺中亦容易由于温度变化产生的应力而破裂。因此，在晶片形成后必须对晶片的晶边进行研磨，使晶片具有圆弧状的晶边轮廓。

请参考图1，图1为公知标准晶片的示意图。如图1所示，标准晶片10包含有第一主表面12、第二主表面14，以及边缘区域16。边缘区域16在经历了边晶研磨后呈现圆弧状的晶边轮廓，同时此晶边轮廓对称于第一主表面12与第二主表面14的中心线，由此避免标准晶片10在后续工艺中因应力问题或卡固于晶舟中造成损伤或破裂。

一般而言，标准晶片10的厚度随着直径尺寸的不同而有所不同，举例来言，8英寸大小的标准晶片10，其厚度约为725微米，对于一般半导体工艺而言，标准晶片10可有效避免上述问题，然而对于部分需要使用减薄晶片的工艺而言，例如微机电工艺所使用的晶片，其厚度往往必须达到50至250微米左右。在此状况下，标准晶片10受损与破裂的机率将大幅增加。请参考图2，图2为减薄的标准晶片的示意图。如图2所示，由于工艺需要或其它因素，标准晶片10的厚度必须由725微米缩减至250微米以下时(例如200微米)，此时标准晶片10的边缘区域16会产生如刀子形状般的锐角，如此一来将使标准晶片10于后续工艺中极易卡固于晶舟内，同时尖锐的晶边轮廓造成减薄的标准晶片10的应力增加，而大幅地增加了标准晶片10破裂的机率。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种具有不对称晶边轮廓的晶片及其制作方法，以减少晶片破裂的可能性并提升成品率。

为达上述目的，本发明提供一种具有不对称晶边轮廓的晶片。上述晶片包含有碟状主体，其包含有第一主表面、第二主表面平行于该第主表面，以及边缘区域。该第一主表面与该第二主表面之间定义出中心线，该边缘区域具有晶边轮廓，且该晶边轮廓不对称于该第一主表面与该第二主表面的该中心线。

为了使能更近一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图。然而附图仅供参考与辅助说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为公知标准晶片的示意图。

图2为减薄的标准晶片的示意图。

图3至图5为本发明的优选实施例的一种制作具有不对称晶边轮廓的方法示意图。

图6为图5所示的晶片进行减薄后的示意图。

简单符号说明

10标准晶片            12第一主表面

14第二主表面          16边缘区域

30晶片                32碟状主体

34第一主表面          36第二主表面

38边缘区域

具体实施方式

请参考图3至图5，图3至图5为本发明的优选实施例的一种制作具有不对称晶边轮廓的方法示意图。如图3所示，首先提供晶片30，其中本实施例以直径为8英寸、厚度为725微米的晶片为例说明本发明的特征，但本发明的应用并不限于此。晶片30包含有碟状主体32、第一主表面34、平行于第一主表面34的第二主表面36，以及垂直于第一主表面34与第二主表面36的边缘区域38，且第一主表面34与第二主表面36之间定义出中心线C1。接着由晶片30的第二主表面36上的G1点以α角切割晶片30，在边缘区域38形成第一斜面S1，其中在本实施例中，G1点与第二主表面36的端点的垂直距离为0.499毫米，而α角则为24度。

如图4所示，随后以不位于中心线C1上的O1点为圆心，并以预定曲率半径R研磨边缘区域38，以形成一圆弧面S2，其中于本实施例中，O1点与边缘区域38的垂直距离为0.6毫米，与第一主表面34的垂直距离为0.205毫米，而曲率半径为0.6毫米。