[发明专利]非易失性存储器的制造方法

权利要求书

1、一种非易失性存储器的制造方法，包括：

提供基底，所述基底中已形成有往第一方向延伸的多个隔离结构，所述隔离结构在所述基底表面突出，且所述隔离结构之间的所述基底上已形成有第一掩模层；

在所述基底上形成第二掩模层，所述第二掩模层覆盖住所述隔离结构与所述第一掩模层；

图案化所述第二掩模层与所述第一掩模层，形成往第二方向延伸的多个开口，所述开口暴露出部分所述基底表面与部分所述隔离结构的表面，所述第一方向与所述第二方向交错；

在所述基底上形成隧穿介电层；

在所述开口中形成分别具有凹陷部的多个筒状浮置栅极，所述筒状浮置栅极分别位在相邻的两所述隔离结构与所述第一掩模层所包围的位置上；

在所述基底上形成栅间介电层；以及

在所述开口中分别形成多个控制栅极，所述控制栅极并填满所述筒状浮置栅极的所述凹陷部。

2、如权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其中在所述开口中形成分别具有所述凹陷部的多个筒状浮置栅极的步骤包括：

在所述基底上形成共形的第一导体层；

移除部分所述第一导体层，直到暴露出所述第二掩模层的表面；

在所述基底上形成牺牲材料层；

移除部分所述牺牲材料层，直到暴露出所述第二掩模层的表面；

移除部分所述第一导体层，直到暴露出所述隔离结构的表面；以及

移除所述牺牲材料层。

3、如权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其中在所述开口中形成分别具有所述凹陷部的所述筒状浮置栅极之后，还包括移除部分所述隔离结构，使所述隔离结构的顶部低在所述筒状浮置栅极的顶部。

4、如权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其中在所述第一掩模层与所述基底之间还包括形成有垫层。

5、如权利要求4所述的非易失性存储器的制造方法，其中在图案化所述第二掩模层与所述第一掩模层的步骤之后与形成所述隧穿介电层的步骤之前，还包括移除部分所述垫层。

6、如权利要求4所述的非易失性存储器的制造方法，其中所述垫层的材料与所述隔离结构的材料相同。

7、如权利要求5所述的非易失性存储器的制造方法，其中在移除所述垫层的同时，还包括移除部分所述隔离结构。

8、如权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其中所述栅间介电层的材料包括氧化硅/氮化硅/氧化硅。

9、如权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其中在所述基底上形成所述控制栅极的步骤之后，还包括移除所述第一掩模层与所述第二掩模层。

10、如权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其中在所述基底上形成所述控制栅极的步骤包括：

在所述基底上形成第二导体层；以及

以所述第二掩模层为终止层，移除部分所述第二导体层。

11、一种非易失性存储器的制造方法，包括：

提供一基底，所述基底中已形成有往第一方向延伸的多个隔离结构，所述隔离结构在所述基底表面突出，且所述隔离结构之间的所述基底上已形成有第一掩模层；

在所述基底上形成第二掩模层；

图案化所述第二掩模层与所述第一掩模层，形成往第二方向延伸的多个开口，所述开口暴露出部分所述基底表面与部分所述隔离结构的表面，所述第一方向与所述第二方向交错；

在所述基底上形成隧穿介电层；

在所述基底上形成共形的第一导体层；

移除部分所述第一导体层，直到暴露出所述第二掩模层的表面；

在所述基底上形成牺牲材料层；

移除部分所述牺牲材料层，直到暴露出所述第一导体层的表面；

移除部分所述第一导体层，直到暴露出所述隔离结构的表面，以形成分别具有一凹陷部的多个筒状导体块；

移除所述牺牲材料层；

在所述基底上形成栅间介电层；

在所述基底上形成第二导体层，所述第二导体层填入所述筒状导体块的所述凹陷部并填满所述开口；以及

在所述第二导体层两侧的所述基底中形成多个掺杂区。

12、如权利要求11所述的非易失性存储器的制造方法，其中所述牺牲材料层的材料包括光致抗蚀剂材料。