[发明专利]脉冲驱动电路有效

专利信息
申请号: 200610060734.4 申请日: 2006-05-19
公开(公告)号: CN101075411A 公开(公告)日: 2007-11-21
发明(设计)人: 鲁建辉;周通 申请(专利权)人: 群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司
主分类号: G09G3/34 分类号: G09G3/34;G09G3/36;G09G3/20;G02F1/133
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摘要:
搜索关键词: 脉冲 驱动 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种用于液晶显示器的脉冲驱动电路。

背景技术

液晶显示器具有轻薄,耗电低和辐射少等特点,因此被广泛用于便携式DVD、可视音乐播放器、移动电话和笔记本电脑等领域。由于液晶显示器中的液晶分子本身并不发光,因此液晶显示器需要借助一背光模组照明来实现图像显示,通常背光模组包括多个背光灯管和一逆变器(inverter)电路,该逆变器电路将直流电转换成交流电用于驱动该背光灯管。通常,现有技术的逆变器电路包括一脉冲驱动电路用于驱动一线圈。

请参阅图1,是一种现有技术脉冲驱动电路的电路图。该脉冲驱动电路100包括一脉冲产生装置110、一N沟道场效应管120、一P沟道场效应管130、一限流电阻140、一NPN型晶体管150、一PNP型晶体管151、一负载电路160和一12V直流电源170。

该脉冲产生装置110是一脉宽调变集成电路,其可产生一脉冲信号,高电压是5V,低电压是0V,频率52KHz。该负载电路160是一变压器线圈。

该P沟道晶体场效应管130的漏极D连接到该负载电路160,源极S连接到该直流电源170。

该N沟道晶体场效应管120的栅极G连接到该脉冲产生装置110,源极S接地,漏极D通过该限流电阻140连接到该直流电源170。

该NPN型晶体管150的基极b与该PNP型晶体管151的基极b均连接到该N沟道晶体场效应管120的漏极D。该NPN型晶体管150的发射极e与该PNP型晶体管151的发射极e均连接到该P沟道晶体场效应管130的栅极G。该NPN型晶体管150的集电极c连接到该直流电源170。该PNP型晶体管151的集电极c接地。该NPN型晶体管150和该PNP型晶体管151组成一升压电路。

当该脉冲产生装置110产生5V的高电压时,该N沟道晶体场效应管120导通,其漏极D接地是0V。因此该NPN型晶体管150截止,该PNP型晶体管151导通,该PNP型晶体管151的发射极e通过其集电极c接地。因为该PNP型晶体管151的发射极e连接到该P沟道晶体场效应管130的栅极G,因此该P沟道晶体场效应管130的栅极G下拉为低电压0V。该P沟道晶体场效应管130的栅极G与源极S之间的电压Vgs=-12V,该P沟道晶体场效应管130导通。

当该脉冲产生装置110产生0V的低电压时,该N沟道晶体场效应管120截止,其漏极D的电压是12V。因此该PNP型晶体管151截止,该NPN型晶体管150导通,该NPN型晶体管150的发射极e连接到该直流电源170后是12V。因为该NPN型晶体管150的发射极e连接到该P沟道晶体场效应管130的栅极G,因此该P沟道晶体场效应管130的栅极G电压抬高为12V。该P沟道晶体场效应管130的栅极G与源极S之间的电压Vgs=0V,该P沟道晶体场效应管130截止。

因为该脉冲产生装置110产生频率52KHz的脉冲信号,因此该P沟道晶体场效应管130就以52KHz的频率导通/截止,该12V的直流电源通过该P沟道晶体场效应管130以52KHz的频率驱动该负载电路160。但是,该脉冲驱动电路100包括四个晶体管,因此结构较复杂,且成本较高。

发明内容

为了解决现有技术中脉冲驱动电路结构较复杂的缺点,有必要提供一种结构较简单的脉冲驱动电路。

一种脉冲驱动电路,其包括一脉冲产生装置、一隔离电容、一N沟道晶体场效应管、一限流电阻和一二极管。该晶体管栅极通过该隔离电容连接到该脉冲产生装置,该晶体管漏极连接到一负载电路,该晶体管源极连接到一直流电源。该限流电阻和该二极管分别连接在该晶体管栅极与源极之间,该二极管的负极连接到该晶体管栅极。该脉冲产生装置输出一脉冲信号用于驱动该脉冲驱动电路。

相较于现有技术,上述脉冲驱动电路仅采用了一个晶体管就实现了脉冲驱动的功能,因此该脉冲驱动电路的结构较简单。

附图说明

图1是现有技术脉冲驱动电路的电路图。

图2是本发明脉冲驱动电路一较佳实施方式的电路图。

具体实施方式

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