[发明专利]大功率半导体热电芯片组件无效
| 申请号: | 200610032143.6 | 申请日: | 2006-08-28 |
| 公开(公告)号: | CN101136449A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
| 发明(设计)人: | 邓贤金;王勇;胡善荣;谢建雄 | 申请(专利权)人: | 邓贤金 |
| 主分类号: | H01L35/32 | 分类号: | H01L35/32 |
| 代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 魏国先 |
| 地址: | 423000湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 大功率 半导体 热电 芯片 组件 | ||
1.一种大功率半导体热电芯片组件,其特征在于由中层基板、半导体热电元件、上导流板、下导流板组成,中层基板为绝缘材料成型板或绝缘材料浇注板,中层基板上具有多个与热电元件相吻合的穿孔,穿孔内分别安装有P型半导体热电元件和N型半导体热电元件,上、下导流板与中层基板和半导体热电元件连接固定,并且上导流板与半导体热电元件上端电连接,下导流板与半导体热电元件下端电连接,上、下导流板加工成若干互相绝缘的导流小块,若干互相绝缘的上、下导流小块与P型半导体热电元件、N型半导体热电元件电连接构成半导体热电元件的并联或串联或串、并联组合。
2.根据权利要求1的大功率半导体热电芯片组件,其特征在于所述的若干互相绝缘的上、下导流小块与热电元件的组合为:一组P型半导体热电元件上端与相邻的一组N型半导体热电元件上端由一块上导流小块并联在一起,而这一组N型半导体热电元件下端与相邻的另外一组P型半导体热电元件下端由一块下导流小块并联在一起,如此类推,形成多组P型半导体热电元件与多组N型半导体热电元件的并、串联组合。
3.根据权利要求1的大功率半导体热电芯片组件,其特征在于所述的上、下导流板加工成若干互相绝缘的导流小块采用印刷电路板的加工方法加工而成。
4.根据权利要求1的大功率半导体热电芯片组件,其特征在于中层基板采用环氧树脂板、树脂纤维板、纸胶板或发泡剂绝缘材料板制成。
5.根据权利要求1的大功率半导体热电芯片组件,其特征在于上、下导流板为铝材板或敷铜板。
6.根据权利要求1的大功率半导体热电芯片组件,其特征在于上、下导流板与P、N型半导体热电元件低温焊接。
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