[发明专利]多芯片半导体封装结构及封装方法有效
| 申请号: | 200610030626.2 | 申请日: | 2006-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN101136394A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
| 发明(设计)人: | 王津洲 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
| 地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 半导体 封装 结构 方法 | ||
1.一种多芯片半导体封装结构,包括:若干个倒装芯片和引线框架,所述引线框架包括管芯垫和引线,管芯垫上有中间焊盘和边缘焊盘,中间焊盘与倒装芯片电连接,边缘焊盘用于引线和中间焊盘电连接。
2.根据权利要求1所述的多芯片半导体封装结构,其特征在于:所述倒装芯片包括母芯片和子芯片,母芯片和子芯片分布于引线框架两侧。
3.根据权利要求2所述的多芯片半导体封装结构,其特征在于:所述引线框架为单层结构,管芯垫上的中间焊盘和边缘焊盘贯穿管芯垫厚度。
4.根据权利要求3所述的多芯片半导体封装结构,其特征在于:母芯片和子芯片上分布有焊盘,用焊料凸块将子芯片上的焊盘与管芯垫的中间焊盘电连接,用焊料凸块将母芯片上的焊盘与管芯垫的中间焊盘电连接。
5.根据权利要求4所述的多芯片半导体封装结构,其特征在于:母芯片和子芯片上的焊盘分为功能驱动焊盘和非功能驱动焊盘。
6.根据权利要求5所述的多芯片半导体封装结构,其特征在于:子芯片上功能驱动焊盘与母芯片上功能驱动焊盘为镜像反对称,连接于管芯垫不同的中间焊盘上。
7.根据权利要求6所述的多芯片半导体封装结构,其特征在于:子芯片上非功能驱动焊盘与母芯片上非功能驱动焊盘为镜像对称,一一对应连接于管芯垫的中间焊盘上。
8.一种多芯片半导体封装方法,首先提供若干个倒装芯片和引线框架,所述引线框架包括管芯垫和引线,管芯垫上有中间焊盘和边缘焊盘,其特征在于,还包括下列步骤:
将管芯垫的中间焊盘和倒装芯片电连接;
将管芯垫的中间焊盘和边缘焊盘电连接;
将管芯垫的边缘焊盘和引线电连接。
9.根据权利要求8所述的多芯片半导体封装方法,其特征在于:所述倒装芯片包括母芯片和子芯片,母芯片和子芯片分布于引线框架两侧。
10.根据权利要求9所述的多芯片半导体封装方法,其特征在于:所述引线框架为单层结构,管芯垫上的中间焊盘和边缘焊盘贯穿管芯垫厚度。
11.根据权利要求10所述的多芯片半导体封装方法,其特征在于:母芯片和子芯片上分布有焊盘,用焊料凸块将子芯片上的焊盘与管芯垫的中间焊盘电连接,用焊料凸块将母芯片上的焊盘与管芯垫的中间焊盘电连接。
12.根据权利要求11所述的多芯片半导体封装方法,其特征在于:母芯片和子芯片上的焊盘分为功能驱动焊盘和非功能驱动焊盘。
13.根据权利要求12所述的多芯片半导体封装方法,其特征在于:子芯片上功能驱动焊盘与母芯片上功能驱动焊盘为镜像反对称,连接于管芯垫不同的中间焊盘上。
14.根据权利要求13所述的多芯片半导体封装方法,其特征在于:子芯片上非功能驱动焊盘与母芯片上非功能驱动焊盘为镜像对称,一一对应连接于管芯垫的中间焊盘上。
15.根据权利要求14所述的多芯片半导体封装方法,其特征在于:用连接线将管芯垫的中间焊盘与边缘焊盘进行电连接,连接线的材料是铜、铁、镍、铁镍合金或铜镍合金。
16.根据权利要求15所述的多芯片半导体封装方法,其特征在于:用键合线连接管芯垫的边缘焊盘和引线框架的引线,键合线的材料是金、铜、铝或铜铝合金。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610030626.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:移动式蒸发冷却装置
- 下一篇:民用无压圆形蜂窝煤取暖炉
- 同类专利
- 专利分类





