[发明专利]多芯片半导体封装结构及封装方法有效

专利信息
申请号: 200610030626.2 申请日: 2006-08-31
公开(公告)号: CN101136394A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 王津洲 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/495;H01L21/60
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 逯长明
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 芯片 半导体 封装 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种多芯片半导体封装结构,包括:若干个倒装芯片和引线框架,所述引线框架包括管芯垫和引线,管芯垫上有中间焊盘和边缘焊盘,中间焊盘与倒装芯片电连接,边缘焊盘用于引线和中间焊盘电连接。

2.根据权利要求1所述的多芯片半导体封装结构,其特征在于:所述倒装芯片包括母芯片和子芯片,母芯片和子芯片分布于引线框架两侧。

3.根据权利要求2所述的多芯片半导体封装结构,其特征在于:所述引线框架为单层结构,管芯垫上的中间焊盘和边缘焊盘贯穿管芯垫厚度。

4.根据权利要求3所述的多芯片半导体封装结构,其特征在于:母芯片和子芯片上分布有焊盘,用焊料凸块将子芯片上的焊盘与管芯垫的中间焊盘电连接,用焊料凸块将母芯片上的焊盘与管芯垫的中间焊盘电连接。

5.根据权利要求4所述的多芯片半导体封装结构,其特征在于:母芯片和子芯片上的焊盘分为功能驱动焊盘和非功能驱动焊盘。

6.根据权利要求5所述的多芯片半导体封装结构,其特征在于:子芯片上功能驱动焊盘与母芯片上功能驱动焊盘为镜像反对称,连接于管芯垫不同的中间焊盘上。

7.根据权利要求6所述的多芯片半导体封装结构,其特征在于:子芯片上非功能驱动焊盘与母芯片上非功能驱动焊盘为镜像对称,一一对应连接于管芯垫的中间焊盘上。

8.一种多芯片半导体封装方法,首先提供若干个倒装芯片和引线框架,所述引线框架包括管芯垫和引线,管芯垫上有中间焊盘和边缘焊盘,其特征在于,还包括下列步骤:

将管芯垫的中间焊盘和倒装芯片电连接;

将管芯垫的中间焊盘和边缘焊盘电连接;

将管芯垫的边缘焊盘和引线电连接。

9.根据权利要求8所述的多芯片半导体封装方法,其特征在于:所述倒装芯片包括母芯片和子芯片,母芯片和子芯片分布于引线框架两侧。

10.根据权利要求9所述的多芯片半导体封装方法,其特征在于:所述引线框架为单层结构,管芯垫上的中间焊盘和边缘焊盘贯穿管芯垫厚度。

11.根据权利要求10所述的多芯片半导体封装方法,其特征在于:母芯片和子芯片上分布有焊盘,用焊料凸块将子芯片上的焊盘与管芯垫的中间焊盘电连接,用焊料凸块将母芯片上的焊盘与管芯垫的中间焊盘电连接。

12.根据权利要求11所述的多芯片半导体封装方法,其特征在于:母芯片和子芯片上的焊盘分为功能驱动焊盘和非功能驱动焊盘。

13.根据权利要求12所述的多芯片半导体封装方法,其特征在于:子芯片上功能驱动焊盘与母芯片上功能驱动焊盘为镜像反对称,连接于管芯垫不同的中间焊盘上。

14.根据权利要求13所述的多芯片半导体封装方法,其特征在于:子芯片上非功能驱动焊盘与母芯片上非功能驱动焊盘为镜像对称,一一对应连接于管芯垫的中间焊盘上。

15.根据权利要求14所述的多芯片半导体封装方法,其特征在于:用连接线将管芯垫的中间焊盘与边缘焊盘进行电连接,连接线的材料是铜、铁、镍、铁镍合金或铜镍合金。

16.根据权利要求15所述的多芯片半导体封装方法,其特征在于:用键合线连接管芯垫的边缘焊盘和引线框架的引线,键合线的材料是金、铜、铝或铜铝合金。

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