[发明专利]光刻图形的形成方法有效
| 申请号： | 200610029925.4 | 申请日： | 2006-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101122749A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 李建茹;宋铭峰;郑莲晃 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 图形 形成 方法 | ||
1.一种光刻图形的形成方法，包括：
提供一半导体基底；
将所述半导体基底移入等离子体刻蚀设备对所述半导体基底表面进行等离子体灰化处理；
在所述半导体基底上旋涂光刻胶；
将所述带有光刻胶的半导体基底送入曝光机进行曝光；
将曝光后的晶片移入显影设备进行显影。
2.如权利要求1所述的光刻图形的形成方法，其特征在于：所述半导体基底表面材料可以是多晶硅、氧化硅、有机聚合物DUO或其组合。
3.如权利要求1所述的光刻图形的形成方法，其特征在于：所述等离子体为氧气等离子体。
4.如权利要求3所述的光刻图形的形成方法，其特征在于：所述氧气等离子体反应气体中可以包括氮气、氢气或其组合。
5.如权利要求1所述的光刻图形的形成方法，其特征在于：所述等离子体反应气体可以是一氧化氮或一氧化二氮。
6.如权利要求1所述的光刻图形的形成方法，其特征在于：所述等离子体灰化处理的时间为10～20S。
7.如权利要求1所述的光刻图形的形成方法，其特征在于：所述等离子体的射频源功率为400W～800W。
8.如权利要求1所述的光刻图形的形成方法，其特征在于：所述等离子体灰化处理的压力为7mT～20mT。
9.如权利要求1所述的光刻图形的形成方法，其特征在于：所述等离子体灰化处理的温度为15～30℃。
10.如权利要求1所述的光刻图形的形成方法，其特征在于：所述等离体刻蚀设备为圆桶式等离子体刻蚀机。
11.如权利要求1所述的光刻图形的形成方法，其特征在于：该方法进一步包括：对经过等离子体灰化处理的晶片表面进行清洗。
12.如权利要求1所述的光刻图形的形成方法，其特征在于：所述光刻胶为化学放大光刻胶。
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