[发明专利]光刻胶残留物的清洗方法有效
| 申请号： | 200610027584.7 | 申请日： | 2006-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101089734A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 刘凤梅;谢文春;杨坚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 残留物 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻胶残留物的清洗方法，包括：
a首先，对显影后表面带有光刻胶残留物的晶片中心进行冲洗，冲洗时 间为60-120秒；
b然后，对晶片边缘进行冲洗；
所述步骤a包括：
a1将冲洗液喷头置于晶片中心上方；
a2冲洗液喷头静止，晶片旋转；
a3冲洗液从喷头中喷出，自上而下冲洗晶片中心；
所述步骤b包括：
b1将冲洗液喷头置于距离晶片边缘表面5-30mm处上方；
b2冲洗液喷头静止，晶片旋转；
b3冲洗液从冲洗液喷头喷出，自上而下地冲洗晶片的边缘，冲洗时间为 20-60秒。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：冲洗液为去离子水。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤a2中，所述晶片 旋转速度为100-2000转/秒。
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